Пробой - переход
Cтраница 1
 |
Теоретическая вольт-амперная характеристика перехода и построеьие характеристического треугольника в рабочей точке С. [1] |
Пробой перехода наступает при больших обратных напряжениях. Различают три вида пробоя: тепловой, туннельный и электрический. Возникновение пробоя зависит от материала полупроводника. На рис. 3.10 приведена очередность наступления пробоев для перехода из германия. [2]
Пробой перехода наступает при больших обратных напряжениях. Различают три вида пробоя: туннельный, тепловой и электрический. [3]
Пробой переходов в транзисторе может возникать также вследствие ионизации атомов электрическим полем п ударной ионизации. Поскольку переходы находятся во взаимодействии, величина пробивного напряжения существенно зависит от схемы включения транзистора. [4]
Пробой перехода коллектор-эмиттер транзисторов плат ПК1 - ПК6 определяется срабатыванием соответствующих реле как при запуске ДАН, так и в спокойном состоянии. Аналогичная цепь срабатывания контрольных реле создается и в динамическом режиме при запуске ДАН. [5]
Пробой перехода не сопровождается инжекцией неосновных носителей, а значит, их накоплением и рассасыванием. Поэтому для лавинных транзисторов характерно весьма высокое быстродействие. Время переключения из режима малых токов в режим больших токов и обратно ограничивается в основном перезарядом барьерной емкости перехода. [6]
 |
Вольт-амперная характери - п. [7] |
Пробой р-п перехода ( или другого контакта) объясняется большой & U энергией направленного движе-ния, которую приобретают электроны, проходя через слой пространственного заряда. [8]
Пробой р-п перехода соответствует значению М оо. [9]
Пробоем р-п перехода называется явление резкого увеличения обратного тока при достижении обратным напряжением определенного критического значения. Различают электрический и тепловой пробои р-п перехода. [10]
Особенностью пробоя перехода является его локализация в некоторых слабых местах перехода. Температура этих участков может значительно превышать среднюю по всей площади перехода. В этих же участках, следовательно, наиболее вероятно разрушение перехода вследствие перегрева. [11]
Напряжение пробоя неуправляемого перехода транзисторного ключа ограничивает диапазон напряжений сигнала и продольной помехи, которые могут быть приложены к ключу. В общем случае напряжение пробоя перехода база-эмиттер меньше, чем перехода коллектор - база, так что напряжение, которое может выдержать ключ с транзисторами в инверсном включении, меньше, чем для ключа с нормальным включением транзисторов. Хотя такой ключ выдерживает минимум 30 В, типичное значение принимается равным 5 - 10 В. Поскольку к разомкнутому ключу могут оказаться приложенными одновременно продольное и поперечное напряжения любой пары каналов, то в спецификациях на систему оговаривается, что сумма продольного и поперечного напряжений в каждом канале не должна превышать половины напряжения пробоя ключа. [12]
 |
Туннельный пробой. [13] |
Под пробоем р-п перехода понимают резкое уменьшение дифференциального обратного сопротивления, сопровождающееся резким возрастанием обратного тока при незначительном увеличении напряжения. [14]
Под пробоем р-п перехода понимают резкое уменьшение дифференциального обратного сопротивления, сопровождающееся резким возрастанием обратного тока при незначительном увеличении напряжения Разумеется, понятие резких изменений условно; по существу те процессы, которые обусловливают пробой, начинают проявляться в той или иной мере при напряжениях, значительно меньших пробивного. [15]
Страницы: 1 2 3 4