Пробой - переход
Cтраница 2
При пробое переходов этих транзиствров независимо от переключения постоянно происходит прием либо только в IV либо только в I-III диапазонах. [16]
При пробое переходов или обрыве электродов транзисторов Т1 и Т2 и неисправности других элементов в дифференциальном усилителе ( рис. 42) на одном или обоих выходах его импульсы могут отсутствовать. В результате добавка к напряжению настройки либо совсем не образуется, либо оказывается очень большой и не пропорциональной надстройке. В последнем случае АПЧГ тоже не работает, а настройка на телевизионные каналы, расположенные на краях диапазонов, становится невозможной. [17]
При пробое переходов транзистора Т6 режекторные контуры оказываются постоянно отключенными. При этом четкость черно-белого изображения будет высокой, но на цветном изображении будут присутствовать помехи в виде мелкоструктурной сетки, меняющие свой характер через строку. При обрыве дросселя Др2 согласование ухудшается, коррекция отсутствует и четкость понижается за счет появления отражений от концов линии, видимых как повторы на изображении. [18]
Тепловым называется пробой р-п перехода, обусловленный ростом количества носителей заряда при повышении температуры кристалла. С увеличением обратного напряжения и тока возрастает тепловая мощность, выделяющаяся в р-п переходе, / i / 05P / o6p и его температура. Под действием теплоты усиливаются колебания атомов кристалла и ослабевает связь валентных электронов с ними. Если электрическая мощность Р превысит максимально допустимую мощность ( РРтах), процесс термогенерации лавинообразно разрастается, р-п переход разрушается и в кристалле происходит необратимая перестройка структуры. [19]
Так как пробой р-п перехода приводит к отказу диода, величина максимально допустимого напряжения любой формы и частоты задается с достаточным запасом по отношению к пробивному напряжению. При этом обеспечивается гарантируемая изготовителем надежность работы выпрямительных диодов. [20]
В случае пробоя перехода эмиттер - коллектор транзистора цепь обмотки возбуждения размыкается, что защищает генератор от выхода из строя. Диод гасит импульсы напряжения, приложенные к регулятору в обратном направлении. [21]
 |
Структуры эпитаксиально-планарного ( а и мезапланарного ( б транзисторов. [22] |
Эта разновидность пробоя перехода может существовать даже в кристаллах, поверхность которых не имеет механических нарушений. [23]
Для предотвращения пробоя перехода в диоде с р-и-переходом либо р-область, либо п-область слегка легируют примесями. [24]
Для предотвращения пробоя перехода в диоде с р-и-переходом либо р-область, либо n - область слегка легируют примесями. [25]
Последний вид пробоя р-п переходов - поверхностный пробой - является наименее изученным. Явление поверхностного пробоя заключается в следующем. Поверхностный заряд, имеющийся практически всегда на поверхности полупроводника в месте выхода р-п перехода на поверхность, может в сильной степени искажать картину поля в переходе, повышая или понижая напряженность поля в переходе. Это приводит к увеличению или уменьшению ширины перехода в области выхода перехода на поверхность полупроводника. [26]
Все виды пробоя полупроводникового перехода обратимы, за исключением теплового, который необратим, так как приводит к разрушению полупроводникового перехода. [27]
 |
Характеристика р-п-пе.| Характеристики типичных германиевых и кремниевых диодов. [28] |
Это объясняется пробоем перехода при больших на-пряженностях электрического поля, который может привести к его разрушению, если он недостаточно охлаждается. [29]
Де Ори пробое перехода начинается сильное лавинное умножение, получили название микроплазм. Такие микроллазмы могут возникать вблизи уже упомянутых структурных нарушений или дефектов, где может происходить концентрация электрического иоля. Если при этом достаточно быстро снять приложенное напряжение, то переход сохранит в значительной степени свои свойства, но при повторном прикладывании напряжения пробой начнется значительно раньше. Если напряжение, вызывающее пробой, поддерживать достаточно долго ( ограничивая при этом ток) или подавать его хотя и кратковременно, но многократно, то характеристики перехода изменятся существенным образом - его обратный ток возрастет, а пробивное напряжение резко снизится, причем пробой будет носить так называемый мезоплаз-менный характер: область развития пробоя будет иметь размеры значительно больше, чем у микроплазм, а наблюдаемое свечение будет гораздо менее ярким. Подобное предположение подтверждается тем, что свечение наблюдается спустя некоторое время после отключения питающего напряжения. [30]
Страницы: 1 2 3 4