Пробой - переход
Cтраница 4
Напряжение, при котором наступает пробой перехода, зависит от типа диода и может иметь величину от единиц до сотен вольт. [46]
 |
Зависимость от напряжения обратного сопротивления диодов на частоте 10 Мгц. [47] |
При больших обратных напряжениях начинается пробой р-п перехода и обратное сопротивление резко падает. [48]
 |
Диод предохраняет переход база-эмиттер от пробоя.| Простой стабилизатор напряжения на основе зенеровского диода. [49] |
Не забывайте, что напряжение пробоя перехода база-эмиттер для кремниевых транзисторов невелико и часто составляет всего 6 В. [50]
 |
Распределение отношений напряжений включения тиристоров типа Д235 ( 1 38 при различных режимах на управляющем. [51] |
Если напряжения включения меньше напряжения пробоя перехода / 2) то шунт и отрицательное смещение обычно вызывают увеличение напряжения [ / ВКл, а следовательно, и напряжение ипрмакс. [52]
Не забывайте, что напряжение пробоя перехода база - эмиттер для кремниевых транзисторов невелико и часто составляет всего 6 В. [53]
Напряжения, не связанные с пробоем переходов. [54]
Поверхностным пробое м электронно-дырочного перехода называют пробой перехода, который происходит в месте выхода перехода на поверхность кристалла и на пробивное напряжение которого оказывают влияние поверхностные состояния. [55]
Характерной особенностью диодов и транзисторов является пробой р-п переходов ( тепловой и электрический) при воздействии больших напряжений. Ток, протекающий через прибор, и выделяемая в нем мощность при пробое резко возрастают и достигают разрушающих величин. [56]
Характерным свойством диодов и транзисторов является пробой р-п переходов ( тепловой и электрический) при воздействии больших напряжений. Ток, протекающий через прибор, и выделяемая в нем мощность при пробое резко растут и достигают разрушающих величин даже при условии небольшого превышения предельного напряжения. [57]
Если обратное приложенное напряжение превышает напряжение пробоя перехода / 3, то форма проходящего тока и распределение заряда изобразятся кривыми, приведенными на фиг. [58]
Полупроводниковые стабилитроны, работающие в режиме пробоя р-п перехода, можно успешно использовать в качестве стабилизаторов напряжения. Различные типы стабилитронов имеют номинальные напряжения пробоя от 2 4 до 200 В с допустимым отклонением 5 - 20 % номинального значения. В стабилизаторах этого типа используется нелинейное свойство вольт-амперных характеристик стабилитронов, а именно свойство сохранять почти постоянным напряжение при изменении тока через прибор, при этом изменяется сопротивление стабилитрона по постоянному току, определяемое как результат деления напряжения пробоя на ток, протекающий через стабилитрон. Так как напряжение почти постоянно, то сопротивление уменьшается с ростом тока и, напротив, увеличивается, если ток уменьшается. [59]
Страницы: 1 2 3 4