Лавинный пробой
Cтраница 1
Лавинный пробой связан с образованием лавины носителей заряда под действием сильного электрического поля, в котором носители на длине свободного пробега приобретают энергию, достаточную для образования новых электронно-дырочных пар путем ударной ионизации атомов полупроводника. С увеличением обратного напряжения значение М возрастает. Для оценок используют аппроксимацию М [ 1 - ( Уобр / / проб) 1 ] 1, где m - параметр, зависящий от материала полупроводника и типа проводимости базы р - n - перехода. Пробой возникает при f / o6Pt / npo6, что соответствует Al-voo и неограниченному нарастанию тока. [1]
 |
Вольт-амперные характеристики биполярного транзистора ( а и полевого транзистора ( б. [2] |
Лавинный пробой иногда называют электрическим, так как он возникает при высоком значении напряжения обратно смещенного перехода. [3]
Лавинный пробой связан с образованием горячих точек в транзисторных переходах и возникающем вследствие этого неравномерном распределении полного тока нагрузки. [5]
Лавинный пробой возникает в результате столкновения носителей заряда с атомами кристаллической решетки в области перехода, сопровождающегося процессом ионизации атомов, который носит лавинообразный характер, приводящий к разрыву ковалентных связей. [6]
 |
Обращенный диод. [7] |
Лавинный пробой существует при напряженностях поля порядка 105 - 106В / см. Такие высокие напряженности поля возникают, прежде всего, в центре p - n - перехода, где и происходит процесс лавинного умножения подвижных носителей. Указанная область ( заштрихованная на рис. 6.7) называется слоем умножения. [8]
Лавинный пробой связан с образованием горячих точек в транзисторных переходах и возникающим вслед-твие этого неравномерным распределением полного тока. [9]
Лавинный пробой заключается в том, что под действием сильного электрического поля носители заряда, попавшие в переход ( электроны или дырки), за время свободного пробега между столкновениями приобретают энергию, достаточную для ионизации атома. При этом образуется пара свободных носителей заряда. В свою очередь, эти вновь образованные носители заряда, ускоряясь в поле, могут также произвести ионизацию. [10]
Лавинный пробой обусловлен тем, что в широких р - п-перехо-дах носители заряда приобретают за время движения достаточную энергию и при столкновении с решеткой кристалла выбивают из связей парные электроны. В результате рождается новая пара электрон-дырка и процесс повторяется под действием новых носителей. Это явление, называемое ударной ионизацией, приводит к лавинообразному увеличению тока через переход и возникновению лавинного пробоя. [11]
Лавинный пробой характеризуется тем, что валентные электроны вырываются под ударным воздействием носителей. Это явление, сходное с ионизацией толчком, объясняется тем, что носители, которые в непроводящий полупериод выведены из средней зоны перехода, все же диффундируют в область объемных зарядов переходного барьера и под воздействием поля приобретают высокие скорости, при которых возможна ионизация атомов кристаллической решетки. Образующиеся при этом новые носители увеличивают ток через переход, что в свою очередь обусловливает возможность дальнейшего лавинообразного развития процесса. [12]
Лавинный пробой обязан лавинному размножению носителей в области объемного заряда. Электроны и дырки в электрическом поле р-п-перехода накапливают кинетическую энергию, достаточную для ударной ионизации атомов решетки. Образовавшиеся таким образом носители заряда сами принимают участие в дальнейшей ионизации. [13]
Лавинный пробой связан с образованием лавины носителей заряда под действием сильного электрического поля, при котором носители приобретают энерпт, достаточные для образования новых электронно-дырочных пар в результате ударной ионизации атомов полупроводника. [14]
Лавинный пробой обычно наблюдается в широких переходах, образованных слаболегированными слоями полупроводника, где средняя длина свободного пробега электронов оказывается достаточной для накопления необходимой энергии ионизации. Лавинный пробой характеризуется резким умножением числа носителей заряда при повышении скорости и энергии свободных электронов. Этот процесс аналогичен ударной ионизации в газах. [15]
Страницы: 1 2 3 4