Cтраница 2
Лавинный пробой, как правило, имеет место в относительно широких пр-переходах, получающихся при сравнительно низкой концентрации примесей. Напряжение лавинного пробоя составляет несколько десятков-сотен вольт. Увеличение напряжения пробоя проб достигается уменьшением проводимости базы ОБ. [16]
Лавинный пробой во время процесса установления колебаний в генераторе ( как на этапе отсечки, так и на этапе активного режима) также не может возникнуть ввиду того, что колебательное напряжение на коллекторе достигает максимальных значений только в стационарном режиме. [17]
Лавинный пробой, при котором большие скорости неосновных носителей зарядов в области перехода вызывают ионизацию нейтральных атомов и связанное с ней лавинообразное размножение носителей заряда, приводящее к увеличению обратного тока через переход. Электрический и лавинный пробои не разрушают электронно-дырочный переход, при уменьшении напряженности поля в переходе эти пробои прекращаются. [18]
![]() |
Вольт-амперная характеристика опорного. [19] |
Лавинный пробой не вызывает разрушения электронно-дырочного перехода, так как с уменьшением обратного напряжения прекращается размножение носителей зарядов, и ток через переход уменьшается. [20]
Лавинный пробой, как правило, развивается в течение относительно длительного времени ( более 1 мкс) и не характерен для импульсных напряжений. [22]
Лавинный пробой происходит при значениях обратного напряжения вплоть до 500 В для германия и 1000 В для кремния. [23]
Лавинный пробой объясняется лавинным размножением носителей за счет ударной ионизации и за счет вырывания электронов из атомов сильным электрическим полем. Этот пробой характерен для п - р-переходов большой толщины, получающихся при сравнительно малой концентрации примесей в полупроводниках. Пробивное напряжение для лавинного пробоя составляет десятки или сотни вольт. [24]
![]() |
Схема лавинного умножения носителей заряда в переходе. [25] |
Лавинный пробой происходит в достаточно толстых переходах при высоких обратных напряжениях, когда возникает ударная ионизация и лавинный процесс умножения носителей заряда. [26]
![]() |
Зависимость зарядной емкости p - rt - перехода от величины обратного напряжения. [27] |
Лавинный пробой является результатом ударной ионизации атомов кристалла. [28]
![]() |
Туннельный пробой р-п-перехода. [29] |
Лавинный пробой возникает в р-п-переходах. Этот вид пробоя наблюдается обычно при обратных напряжениях, больших 15 В. В области 7 - 15 В электрический пробой р-гс-перехода связан с действием лавинного и туннельного механизмов роста числа носителей заряда. [30]