Cтраница 4
Напряжение лавинного пробоя определяется главным образом удельным сопротивлением высокоомной области и приблизительно прямо пропорционально его величине. Это объясняется тем, что удельное сопротивление примесного полупроводника непосредственно связано с концентрацией примесей, а значит, и с концентрацией зарядов, создающих электрическое поле в обедненном слое. [46]
Явление лавинного пробоя используется также в быстродействующих коммутационных диодах. Примером такого контакта служит п - га-переход. При подаче достаточно малого положительного смещения поле вблизи контакта может превысить критическую величину, при которой начинается лавинный пробой и создаются добавочные электронно-дырочные пары. Если секция - типа первоначально обладает довольно низкой проводимостью, то вызванный положительным смещением поток дырок в объем этой секции вызовет рост его проводимости, в результате чего падение напряжения на примыкающей к переходу области несколько увеличится. [47]
Напряжение лавинного пробоя р-п перехода зависит не только от удельного сопротивления исходного кремния, но и от градиента легирующих примесей в переходе. Поэтому предварительно задаются глубиной залегания р-п перехода XJP, поверхностной концентрацией и профилем распределения легирующей примеси, образующей р-п переход. [48]
При лавинном пробое напряжение на переходе изменяется менее чем на 0 5 в, а ток - на несколько порядков. Несколько большее изменение напряжения при токах 10 - - 10 - 2 а обусловлено влиянием последовательного сопротивления материала и тепловыми эффектами. [49]
При лавинном пробое транзистор менее чувствителен к условиям на входе. [50]
При лавинном пробое выпрямляющего электрического перехода носители заряда, проходя через р-п переход, в сильном электрическом поле на длине свободного пробега приобретают энергию, достаточную для образования новых электронно-дырочных пар посредством ударной ионизации атомов полупроводника. В результате резко возрастает обратный ток. [51]
В режиме лавинного пробоя из-за повышения плотности тока в отдельных участках структуры диода могут образовываться небольшие центры разряда, называемые микроплазмами. Поэтому решающим фактором для работы ЛФД является однородность лавинного процесса, реализовать которую возможно только в совершенных электронно-дырочных переходах. [52]
С явлениями лавинного пробоя по дефектам связано также, по-видимому, то, что экспериментальные данные пробивных напряжений и коэффициентов лавинного умножения получаются с большим разбросом. [53]
При возникновении лавинного пробоя в стабилитроне появляются шумы. Эти шумы являются отличительной особенностью процесса ударной ионизации. Вначале этот процесс неустойчив: он возникает, срывается, возникает снова. С увеличением тока процесс ударной ионизации становится устойчивым и шумы исчезают. В стабилитронах с напряжением стабилизации менее 6 В шумы практически отсутствуют, так как пробой в них имеет туннельный характер. [54]
Для возникновения лавинного пробоя ( лавинного размножения носителей) нужно, чтобы толщина запирающего слоя была больше средней длины свободного пробега носителей. Увеличение тока лавинного пробоя происходит из-за размножения носителей в запирающем слое при их столкновениях с атомами в узлах кристаллической решетки. Получив в ускоряющем поле относительно большую кинетическую энергию, неосновные носители способны при столкновениях с атомами полупроводникового вещества разрывать валентные связи, что приводит к появлению дополнительных пар носителей электрон - дырка. [55]
Для возникновения лавинного пробоя, как и в случае разряда в газе, решающим является коэффициент ионизации полупроводника as электронами и дырками. Он равен числу пар носителей заряда, которое образует электрон или дырка в запорном слое на 1 см своего пути. [56]
В зоне лавинного пробоя на рабочем участке АВ вольт-амперной характеристики напряжение на стабилитроне меняется весьма незначительно. [57]
В режиме лавинного пробоя из-за быстрого нарастания плотности тока в отдельных участках структуры могут возникать некоторые центры ионизации носителей, которые называют микроплазмами. Микроплазмы обычно возникают на краях перехода из-за локального повышения напряженности поля, а также в областях различных микродефектов, как на поверхности, так и в объеме. Степень однородности структуры в объеме при современном уровне технологии может быть очень высокой. [58]