Вторичный пробой
Cтраница 1
Вторичный пробой является наименее изученным видом пробоя. Он проявляется в виде спонтанного и обычно внезапного уменьшения напряжения на переходе при достижении некоторого критического тока лавинного пробоя. При этом из-за перераспределения тока по площади p - n - перехода происходит повышение плотности тока в отдельных участках полупроводниковой структуры, вызывающее локальный тепловой пробой, в результате чего прибор выходит из строя. [1]
 |
Графики развития вторичного пробоя. [2] |
Вторичный пробой отсутствует в полевых транзисторах. [3]
Вторичный пробой отсутствует в полевых транзисторах, которые не теряют своих управляющих свойств вплоть до достижения предельных режимов и пробоя их управляемых переходов. То есть полевые транзисторы не теряют управляющих свойств. [4]
Вторичный пробой отличается от лавинного пробоя тем, что с его возникновением коллекторные характеристики транзистора больше не определяются режимом базы. [5]
 |
Построение гиперболы максимальной потребляемой мощности. [6] |
Вторичный пробой транзистора возникает или после развития одного из видов первичного пробоя, или непосредственно, минуя развитие первичного пробоя. [7]
Вероятность вторичного пробоя возрастает с увеличением рабочего тока транзистора и напряжения на коллекторе, так как при этом неравномерность выделения мощности в транзисторе проявляется сильнее из-за большего перегрева и, следовательно, из-за большего влияния собственной электропроводности. [8]
Развитие вторичного пробоя существенно определяется локальными неоднородностями транзисторной структуры, обусловливающими неравномерную плотность тока, местный разогрев, а затем и перегрев структуры, сопровождающийся проплавлением базы. [9]
Вероятность вторичного пробоя возрастает с увеличением рабочего тока транзистора и напряжения на коллекторе, так как при этом неравномерность выделения мощности в транзисторе проявляется сильнее из-за большего перегрева и, следовательно, из-за большего влияния собственной электропроводности. [10]
Возникновение вторичного пробоя в предохранителях с элементами из алюминия объясняется образованием при описанных реакциях оксида алюминия, который под действием постоянного приложенного напряжения и высокой температуры сохраняет достаточно высокую электропроводность. При этом скорость нагрева предохранителя от протекания остаточного тока выше, чем скорость охлаждения, обусловленная теплопроводностью оксида алюминия. [11]
Под вторичным пробоем понимают явления, связанные с разогревом коллекторного перехода и приводящие к резкому увеличению коллекторного тока при одновременном уменьшении коллекторного напряжения. При вторичном пробое транзистора, как и при тепловом пробое диода, происходит шнурование тока, проходящего через коллекторный переход. [12]
Под вторичным пробоем понимают явления, приводящие к внезапному переходу транзистора в состояние, которое характеризуется большим током и относительно малым напряжением. При вторичном пробое ток, проходящий через транзистор, локализуется в узкой области, называемой шнуром. [13]
Под вторичным пробоем понимают явления, приводящие к внезапному переходу транзистора в состояние, которое характеризуется большим током и относительно малым напряжением. [14]
Чем вызван вторичный пробой в транзисторах. [15]
Страницы: 1 2 3 4