Вторичный пробой

Cтраница 4

С увеличением запирающего напряжения будет падать величина 1к, при которой начинается вторичный пробой. [46]

В последующие десять лет появилось очень большое количество работ, посвященных исследованию вторичного пробоя или связанных с ним явлений. В настоящее время под понятием вторичный пробой объединяется не одно, а целый ряд явлений, общей чертой которых является внезапный переход транзистора в состояние, характеризуемое большим током и относительно малым ( порядка 10 - 20 в) напряжением. [47]

По истечении этого времени, называемого временем предпробойной задержки, развиваются процессы вторичного пробоя. [48]

Сравнительная характеристика областей безопасной работы полевого и биполярного транзисторов. [49]

Последнее преимущество полевого транзистора связано с его теп-овыми свойствами - полное отсутствие вторичного пробоя. Это реимущество позволяет эффективнее использовать полевой транзи-гор по передаваемой мощности. На рис. 5.2 обозначены области без-пасной работы мощного биполярного и полевого транзисторов, мак-имальные токи и напряжения которых выбраны примерно одинако-ыми. [50]

Необходимо отметить, что отсутствие дефектов в структуре транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. Так, базовая область под p - n - переходом может быть не эквипотенциальна из-за прохождения базовых токов. При различных направлениях тока базы наблюдается увеличение плотности тока эмиттера либо по периферии эмиттерного перехода, либо в центре перехода. Этот эффект может также создавать предпосылки для развития процессов шнурования тока. [51]

Страницы: 1 2 3 4