Вторичный пробой
Cтраница 3
Если же ток через транзистор при вторичном пробое ограничить, то локальный разогрев может не привести к расплавлению кристалла в тонкой области шнурования тока. В этом случае иногда может существовать относительно стабильное состояние с малым падением напряжения между коллектором и эмиттером. Однако сохранение подобного состояния в течение длительного времени или неоднократные повторения вторичного пробоя обычно приводят к необратимым изменениям параметров транзистора в связи с большой локализацией выделяющейся мощности. [31]
Сформулированная задача описывает реальные процессы, сопровождающие вторичный пробой, упрощенно, Фактически здесь предполагается, что испарение вещества со стенок происходит мгновенно, в момент г, в то время как на самом деле этот процесс продолжается в течение некоторого промежутка времени на стадии интенсивного сжатия плазмы. [32]
Возникший и развившийся в первом полупериоде разряда вторичный пробой газа вдоль поверхности изолятора в основании коаксиального ускорителя шунтирует ток в плазме, движущейся между электродами. Уменьшение тока в переднем фронте плазмы как вследствие снижения общего тока к концу первого полупериода, так и из-за шунтирования, снижает магнитное давление, приводящее плазму в движение в коаксиальном ускорителе. Скорость плазмы начинает затухать. Это затухание наиболее значительно, когда общий ток проходит через нуль, меняя свое направление в конце первого полупериода, что соответствует резкому спаду скорости после максимума. [33]
Наиболее сложной проблемой является защита транзисторов от вторичного пробоя. При развитии вторичного пробоя транзистор теряет управление по базе, и даже подавая на базу обратное смещение, запереть его нельзя. Единственным способом защиты транзистора в этом случае является распознавание развития вторичного пробоя во время задержки и шунтирование выводов коллектор-эмиттер транзистора с помощью быстродействующего тиристора. [34]
Кроме того, необходимо экспериментально определить напряжение вторичного пробоя транзистора, поскольку во время выключения одновременно имеют место большие величины тока и напряжения. [35]
Большое значение имеет разработка мер, препятствующих возникновению вторичного пробоя, и создание транзисторов, обладающих повышенной устойчивостью к вторичному пробою. [36]
Отсутствие дефектов в структуре Транзистора не гарантирует от возникновения вторичного пробоя. [37]
Если транзистор работает в усилительном режиме, то развитие вторичного пробоя и возникновение токового шнура связано с потерей термической устойчивости, при которой увеличение тока в каком-либо месте структуры приводит к повышению ее температуры, а повышение температуры увеличивает ток. Этот процесс нарастает лавинообразно и приводит к проплавлению структуры. [38]
Исследования показывают, что у транзистора IGBT отсутствует участок вторичного пробоя, характерный для классических биполярных транзисторов. Быстродействие IGBT, к сожалению, ниже быстродействия транзисторов MOSFET, а значит, их трудно использовать в источниках питания с высокими частотами преобразования. [39]
Применение высокочастотного транзистора с низкочастотным диодом опасно в отношении вторичного пробоя. [40]
В табл. 2.14 и 2.15 отсутствуют данные по напряжению вторичного пробоя. Соответствующие этому случаю материалы приведены на стр. [41]
В мощных транзисторах принимаются специальные меры по его защите от вторичного пробоя, в том числе путем включения стабилизирующих резисторов последовательно с каждым эмиттером и улучшения отвода тепла от кристалла. [43]
Нужно сказать, что четкого и однозначного понимания процессов при вторичном пробое в настоящее время нет. В то же время повышение требований к надежности транзисторов превращает эффект вторичного пробоя в серьезную проблему транзисторной электроники. [44]
До того как транзистор попадет в область необратимого ( разрушающего) вторичного пробоя в транзисторе рассеивается определенное количество энергии. [45]
Страницы: 1 2 3 4