Проводимость - канал
Cтраница 2
Вычисления проводимости каналов различного сечения методом Монте-Карло в молекулярном режиме при тех же исходных предположениях проделаны также авторами [18, 44, 88, 92, 111, 116, 117, 124]; в работах [88, 114, 125] аналогичные вычисления сделаны для цилиндрических и конических каналов в промежуточном режиме течения РГ. [16]
 |
Структуры МДП-транзисторов с собственным ( а и индуцированным ( б каналами. [17] |
Соот ветственно проводимости канала либо уменьшается либо увеличивается ж сравнению с ее значениеь при нулевом смещении. [18]
 |
Выходные и передаточные характеристики МДП. [19] |
По типу проводимости каналов МДП-транзисторы делятся а транзисторы с каналами п - и р-типов. Канал транзистора изолирован от основного объема подложки высокоомным слоем объемного заряда. [20]
При оценке проводимости канала поверхностной электропроводности необходимо учитывать, что концентрация носителей заряда является величиной переменной по глубине канала и подвижность носителей заряда в канале может значительно отличаться от подвижности тех же носителей в объеме полупроводника из-за дополнительного рассеяния носителей на поверхности кристалла. [21]
Показано, что проводимость канала определяется ( постоянным) положением уровня Ферми относительно электростатического потенциала на поверхности кристалла германия. Действительное положение уровня Ферми, или величина ft, в свою очередь зависит от степени окисления поверхности и от окружающей среды. Качественно можно сказать, что концентрация примесных уровней, связанных с поверхностью или с адсорбентом, достаточно велика, чтобы превалировать над влиянием объемных примесей. Одно из основных различий, конечно, состоит в том, что для установления равновесия между этими уровнями и объемом требуются времена порядка 1 сек. [22]
В зависимости от проводимости канала различают транзисторы п-и р-типа. В первом из них канал обладает электронной проводимостью, а во втором - дырочной. Тип проводимости стока и истока всегда совпадает с типом проводимости канала. [23]
В их анализе молекулярная проводимость каналов нерегулярной формы была рассчитана на основе возможных траекторий индивидуальных молекул. [24]
Если желательно знать проводимость короткого нецилиндрического канала равномерного сечения, то можно применить тот же способ вывода. [25]
 |
Зависимость плотности темпового тока / f ( / и фототока / ф ( 2 от напряжения на затворе. [26] |
Освещение вызывает увеличение проводимости канала при инверсном изгцбезон полупроводника. Фотопроводимость инверсионных слоев возрастает с уменьшением глубины поглощения света. [27]
Для непосредственных измерений проводимости канала в зависимости от напряжения смещения, окружающей среды и поверхностной обработки была использована схема, показанная на фиг. Здесь эмиттер и коллектор п-типа заземлены по постоянной составляющей тока. [28]
Для точного измерения проводимости канала в зависимости от влажности была использована система циркуляции азота, так как из фиг. Как уже указывалось, желательно иметь достаточно широкий слой базы в п - р - га-триоде, чтобы можно было точно измерить ширину и сопротивление базы. [29]
 |
Схема ключа на полевом транзисторе с управляющим - n - переходом ( а и с изолированным затвором ( б. [30] |
Страницы: 1 2 3 4 5