Проводимость - канал
Cтраница 3
Для исключения модуляции проводимости канала входным сигналом затвор через сопротивление R3 связан с напряжением источника сигнала ес. Устройство управления работает следующим образом. Если напряжение управления равно нулю, то транзистор 72 заперт и напряжение Е через сопротивление R2 и диод D подводится к затвору транзистора 71, запирая его. В результате этого ключ будет замкнут. Если напряжение управления включает транзистор 72, то анод диода D через насыщенный транзистор 72 соединяется с общей шиной, в результате чего напряжение на затворе 71 снижается почти до нуля и транзистор 71 отпирается, что эквивалентно замыканию ключа. [31]
 |
Радиатор из листового металла для охлаждения лампы. [32] |
У МОП-транзисторов также проверяется проводимость канала и изоляция между затвором и каналом. При всех испытаниях затвор должен быть заземлен, чтобы не произошел пробой диэлектрического слоя. Для проверки качества полевого транзистора необходимо измерить его крутизну, являющуюся главным параметром. Это можно осуществить, определив изменение тока стока при изменении напряжения затвора. Изменение тока стока при этом определяют по миллиамперметру. [33]
При изменении приложенного смещения проводимость канала испытывает скачок, после чего медленно приближается к новой стационарной величине. [34]
Микросхемы на взаимно-дополняющих по проводимости канала МДП-транзисторах ( КМДП) существенно отличаются по свойствам от микросхем на р - МДП-транзисторах. Они имеют положительное напряжение питания, потребляют на несколько порядков меньшую мощность, характеризуются при этом значительно большим быстродействием и более высокой помехоустойчивостью. [35]
 |
Выходные вольт-амперные характеристики полевого транзистора с управляющим р-п-переходом. [36] |
В этом случае изменение проводимости канала осуществляется под действием напряжения, приложенного к р - n - переходам верхнего низкоомного затвора и высокоомной подложки - нижнего затвора. Исключение составляют так называемые транзисторы с расщепленным затвором, имеющие отдельные выводы верхнего и нижнего затворов. Рисунок 2 поясняет принцип действия полевого транзистора с управляющим р - - переходом. Полярность напряжений на рисунке соответствует транзистору с каналом я-типа. Исток обычно заземлен и относительно него измеряют напряжения на стоке и затворе. [37]
Далее, предположим, что проводимость канала, который занимает почти весь цилиндр с радиусом Ь, равна G0 при нулевом управляющем напряжении. [38]
Попадание ацетилхолина на рецептор увеличивает проводимость канала в обоих направлениях для ионов Na и К в равной степени. [39]
 |
Зависимость проводимости. [40] |
На рис. 2 даны характеристики проводимости канала n - канального транзистора в зависимости от напряжения на затворе при концентрации акцепторов в подложке 1017 см-3. Область дырочной проводимости была получена диффузией бора в материал n - типа с концентрацией доноров 1015 см-3. Такая технология используется для получения транзисторов п - и / 7-типа на одной подложке. Этот способ изготовления дополняющих транзисторов на одной подложке дает обычно несколько больший разброс параметров у структур n - типа. [41]
 |
Статические стоковые ( а и стоко-затворные ( б характеристики МДП-транзистора с индуцированным каналом р-типа. [42] |
Так как возникновение и увеличение проводимости канала связано с его обогащением подвижными носителями заряда ( дырками), то считают, что транзисторы подобного типа работают в режиме обогащения. [43]
Обогащенный режим, отличающийся увеличением проводимости канала при возрастании от нуля напряжения смещения на участке затвор - исток. [44]
Поскольку, как мы увидим, проводимость канала сравнительно мала, это предположение неверно для областей, удаленных от объемного перехода, ибо, как указал Кингстон ( см. статью 36), ток, проходящий по каналу, создает омическое падение напряжения вдоль канала, благодаря чему эффективное напряжение, приложенное между каналом и объемом re - типа, становится все меньше, по мере того как мы удаляемся от объемного р-л-перехода. [45]
Страницы: 1 2 3 4 5