Проводимость - канал
Cтраница 4
Номинальное значение проводимости gi выбирается равным проводимости канала открытого полевого транзистора ПТ. Поэтому, когда управляющее напряжение Uy равно нулю, трансформаторный мост оказывается уравновешенным. [46]
В транзисторах с изолированным затвором модуляцию проводимости канала осуществляют с помощью металлического электрода, отделенного от канала тонким слоем диэлектрика. [47]
Термин режим усиления отражает факт усиления проводимости канала под действием приложенного напряжения. [48]
Полевые транзисторы различают также по типу проводимости канала: транзисторы с каналом р - или - типа. [49]
 |
Развитие тока молнии, - накопление зарядов в лидерной стадии. б - нейтрализация зарядов в стадии главного разряда. [50] |
Главный разряд приводит к резкому возрастанию проводимости канала молнии. Через этот канал по завершении главного разряда стекают остаточные заряды лидера и облака. В этой стадии ток, называемый током послесвечения, достигает сотен ампер и лишь изредка тысяч ампер. Этим током через канал молнии переносится основной заряд той части грозового облака, откуда начался грозовой разряд. В стадии послесвечения молния может быть уподоблена дуге постоянного тока между облаком и землей. Эта дуга поддерживается в течение тысячных или даже сотых долей секунды. [51]
 |
Зависимость толщины подзат-ворного диэлектрика от минимального топологического размера. [52] |
Для того, чтобы эффективно управлять проводимостью канала при все уменьшающихся топологических размерах МДП-транзисторов, необходимо использовать все более тонкие слои двуокиси кремния. Уже сейчас есть сведения о создании МДП-транзисторов с толщиной диэлектрика 0 8 нм. Однако при толщине 1 2 нм слои двуокиси кремния теряют свои диэлектрические свойства. Это вызывает необходимость создания альтернативных подзатворных материалов, имеющих эквивалентную толщину 1 2 нм. Эквивалентная толщина диэлектрика определяется как толщина слоя SiO2 с еох - 3 9, имеющего ту же емкость, что и альтернативный диэлектрик с большей величиной относительной диэлектрической проницаемости. При толщине 1 2 нм у SiO2 увеличиваются токи утечки затвора, возрастает рассеивание носителей в канале, повышается проникновение примесей, усиливаются деградационные процессы. [53]
 |
Разрез структуры МДП-транзистора с индуцированным каналом. [54] |
Напряжение на затворе, при котором появляется проводимость канала, называется пороговым. [55]
Легко, однако, написать выражение для проводимости канала в одномерном случае, когда предполагается, что ионный заряд и электрохимические потенциалы постоянны в направлении, параллельном поверхности, и не меняются со временем. Тогда проводимость канала - это поверхностная проводимость, создаваемая неосновными носителями тока в инверсионном слое вблизи поверхности. Так как канальная проводимость существенна только в случае ярко выраженного инверсионного слоя, то мы не сделаем большой ошибки, приравняв истинное число неосновных носителей на единицу площади ( вблизи поверхности) поверхностному избытку неосновных носителей. Пусть основание имеет проводимость n - типа, так что неосновными носителями являются дырки. Эта величина зависит от концентрации адсорбированных анионов и, следовательно, от химической природы окружающей среды. В этом случае интересна зависимость проводимости канала от напряжения, приложенного к р - / г-переходу в объеме полупроводника. Если рассматриваемая часть канала очень близка к объемному переходу, то достаточно сделать наши обычные предположения о постоянстве электрохимических потенциалов. [56]
Тангенс угла их наклона, представляющий собой проводимость канала, как отмечалось выше, растет пропорционально напряжению затвора. Это объясняется квадратичной зависимостью тока стока от напряжения на затворе, поясняемой ниже. [57]
При отрицательном напряжении затвора С / зи0 исходная проводимость канала уменьшится, поэтому начальный участок данной стоковой характеристики будет более пологим. [58]
Создаваемый освещением этой области фотоэффект вызывает увеличение проводимости канала и в цепи стока появляется усиленный фототок. [59]
Естественно, что транзисторы с различным характером проводимости канала требуют противоположной полярности питающего напряжения. [60]
Страницы: 1 2 3 4 5