Cтраница 1
Проводимость образцов и tu С / 7 остаются низкими вплоть до температур 3004400 и не затрудняют измерений Ь, на частоте 200 кгц. [1]
Проводимость образцов теллурида кадмия n - типа пропорциональна В системе CdTe In наблюдаются две области проводимости n - типа. В одной из них концентрация электронов постоянна и равна концентрации индия ( контролируемая электронная проводимость), а в другой, отвечающей более низким давлениям кадмия, концентрация электронов пропорциональна ры - При понижении давления pCd внезапно возникает область высокого сопротивления. Ответственные за высокое сопротивление глубокие уровни могут быть обусловлены одним из собственных атомных дефектов ( Vcd или Cdi) или центром, содержащим примесный донор. [2]
Если проводимость образца минимальна, то она будет увеличиваться при любом знаке индуцированного заряда, что и объясняет наблюдаемое явление. [3]
На воздухе проводимость образцов снижается. При последующем прогреве в вакууме поведение их соответствует картине, изложенной выше. [5]
МО - равновесная проводимость образца; P ( t) - дипольная ( квазиди-польная) поляризация. [6]
Одновременно падает проводимость образцов окиси цинка. [7]
Образец р-типа в однородном магнитном поле /. 0. [8] |
Показать, что проводимость образца уменьшается с увеличением магнитного поля. [9]
При этих условиях проводимость образца становится почти собственной, отношение р0 / п0 уменьшается почти до единицы и fi резко уменьшается ( согласно (13.18.19)), чем и объясняется резкое снижение измеряемых в этой температурной области величин подвижности. [10]
Образец р-типа в однородном магнитном поле Ва. [11] |
Показать, что проводимость образца уменьшается с увеличением магнитного поля. [12]
При этих условиях проводимость образца становится почти собственной, отношение РО / ЯО уменьшается почти до единицы и ц резко уменьшается ( согласно ( 13 18.19)), чем и объясняется резкое снижение измеряемых в этой температурной области величий подвижности. [13]
Измеряемое суммарное изменение проводимости образца не может в общем случае быть записано в виде простого произведения величин е, ц, ft, [ 3, т и /, как это имеет место для монополярной удельной фотопроводимости, в первую очередь потому, что значение / из-за поглощения не остается постоянным для всего образца. [14]
Схема диаграммы изменения проводимости образца со временем, полученная при сравнительно сильном освещении и вычерченная самонисцем. [15]