Проводимость - образец
Cтраница 4
 |
Влияние постоянной подсветки на кинетику эффекта лоля. [46] |
Каждая последующая подсветка вызывает в 2 раза большее напряжение фотопроводимости АУф.п. 1 / д0ф п где I - ток через образец, а Дофп - изменение проводимости образца под влиянием подсветки. Времена релаксации, найденные ив вначевий круговых частот, при которых наблюдаются максимумы 1тр1Вфф ( /), линейно совпадают с логарифмом дуф. [47]
Мы можем представить себе, что вода на поверхности зерен образует некоторый слой, проводящий электричество и облегающий зерна породы, взятой нами; при этом чем больше толщина этого слоя, тем больше проводимость образца. [48]
 |
Зависимость намагниченности от величины приложенного поля для сверхпроводника 1-го рода. [49] |
Рассмотрим, что происходит, если приложено поле Я ЯС ( 1 - D), Тогда в соответствии с (16.4.3) М - - Яс / 4я и HI - Нс - Другими словами, следует ожидать, что проводимость образца станет нормальной. Если так, то намагниченность М понизится до нуля и Hi HiHc, последнее соотношение является условием того, что образец становится сверхпроводящим. Парадокс может быть устранен, только если предположить, что объем образца разбивается на две области - нормальную и сверхпроводящую. [50]
 |
Изменение деформации во времени при ударном нагружении для. [51] |
С / 1 2 - напряжения на выходе индуктивных преобразователей; v - скорости ударной волны в переходных сечениях образца; fci 2 - калибровочные коэффициенты индуктивных преобразователей, которые определялись по коэффициенту передачи на частотах 10 - 100 кГц; RHI Z - нагрузочные сопротивления индуктивных преобразователей; s - проводимость образца; q и т - заряд и эффективная масса электрона; с - стержневая скорость звука; L - длина рабочей части образца, S - площадь поперечного сечения опорных стержней, на которых расположены индуктивные преобразователи. [52]
 |
Электронные спектры поглощения образцов с различной TTO ( d 5 - 1Г4сж.| Сравнение А. опт и. образцов полученных, при различных ТТО. [53] |
Экстраполяцией длинноволновой границы поглощения к нулевому коэффициенту поглощения, как это обычно делается в случае неорганических полупроводников, а также для ряда органических полупроводников [6-8] можно приближенно оценить наименьшую энергию фотонов, при которой начинается электронное поглощение в веществе, и определить таким образом ширину запрещенной зоны Ее В табл. 20 приведены значения Ей, полученные из измерений проводимости образцов n - типа и рассчитанные из характеристик длинноволнового поглощения электронных спектров образцов РТМ полиэтилена в зависимости от ТТО. [54]
Модулятор М формирует прямоугольный импульс света, попадающий через фильтр Ф и оптическую систему ОС на образец, включенный в электрическую цепь. Проводимость образца под действием света возрастает, и изменяется падение напряжения на нагрузочном сопротивлении RX, сигнал с которого через усилитель подается на осциллограф. Эта схема может быть приспособлена для измерения времени жизни фазовым методом. В этом случае модулятор М должен создавать синусоидальную модуляцию возбуждающего сигнала с частотой со. Сигнал фотопроводимости отстоит по фазе от возбуждающего сигнала на угол q, величина которого связана с величиной времени жизни т простым соотношением tg p шт. [55]
Электроны проводимости образца М из чистого металла или полупроводника после взаимодействия с возбужденным атомом А пролетают от поверхности в глубь образца. Там их волновые функции коллапсируют, и одновременно у атома А на расстоянии L - г т от образца появляется 2Р - амплитуда. Квант Йси, излучаемый при 2Р - 1 S-переходе, измеряется детектором D. [56]
Приведенные в главе IV результаты измерения подвижности в продуктах РТМ поливинилацетата с температурой обработки 360 С показывают, что уже при 110 С начинает сказываться в температурной зависимости проводимости возрастание концентрации сво-бодных носителей с увеличением температуры. Измерение проводимости образцов РТМ полиэтилена вплоть до температур термической обработки показало, что выше 250 С прямая Iga - 1 / Т идет с гораздо большим наклоном, чем при более низких температурах. Можно сравнить энергии активации проводимости AElt вычисленные из температурного хода проводимости при температурах 250 С, со значениями, полученными для ширины запрещенной зоны из других измерений. При этом надо учитывать, что движение носителей и в высокотемпературной области идет активационно за счет потенциальных барьеров, и поэтому A. [57]
Сводка результатов приведена в таблице. Изменения в проводимости образцов под освещением также не было замечено. При 77 К линии ЭПР сохраняются и после прекращения освещения без изменения интенсивности. При доведении образцов до 20 С эти линии исчезают в образцах, облученных на воздухе. При повторном освещении при 77 К они вновь появляются. Такой обратимый цикл изменений при замораживании, освещении, размораживании может быть повторен много раз. [58]
Страницы: 1 2 3 4