Проводимость - образец
Cтраница 3
Таким образом, время релаксаций наиболее медленной компоненты целиком определяется проводимостью образца. [31]
Экспериментально эксклюзия неосновных носителей изучалась главным образом по переходным и стационарным изменениям проводимости образца в зависимости от напряжения л температуры. Ниже для линейного одномерного случая выводится формула для изменения проводимости G в функции от параметров образца. Рассматривается брусок длины L с прямоугольным сечением площади А. На концах образца сделаны низкоомные плоскостные контакты. Изменение проводимости G не зависит от пространственного распределения убыли концентрации носителей тока в образце. Диффузией носителей для простоты пренебрегаем. [32]
Была установлена четкая антибатная связь между активностью и электропроводностью: чем большей была исходная проводимость образца, тем меньшей оказывалась его активность. Литий, введенный в кристалл, выступал в роли яда. [33]
 |
Импульсы тока ( а и напряжения ( б на образце. [34] |
В данной работе для определения времени жизни неосновных носителей заряда используется явление модуляции проводимости образца при введении в него неравновесных носителей заряда. [35]
Выше этой температуры происходит падение интенсивности поглощения, сопровождающееся диэлектрическими потерями за счет повышения проводимости образца. [36]
Определенное таким образом значение VBo зависит от положения уровня Ферми и, следовательно, от проводимости образца. [37]
Следует заметить, что коэффициент С не зависит от уровня Ферми и, следовательно, от проводимости образца, в то время как vs зависит от нее. [38]
Если приложить переменное поле перпендикулярно поверхности, так что полупроводник является одной из пластин конденсатора, то по изменению проводимости образца можно определить эффективную подвижность носителей тока, индуцируемых этим полем. [39]
Результаты § 2 можно применить к задаче об определении положения шергетических зон на свободной поверхности полупроводника по известному изменению проводимости образца относительно проводимости при определенном положении зон. [40]
Поскольку ш0 пропорциональна В0 ( при условии, что коэффициент в скобках в правой части (13.11.22) положителен, как это обычно бывает), проводимость образца уменьшается с увеличением магнитного поля. Физическая причина его заключается в том, что сила Лоренца искривляет траектории движения некоторых носителей. [41]
Поскольку со0 пропорциональна В0 ( при условии, что коэффициент в скобках в правой части (13.11.22) положителен, как это обычно бывает), проводимость образца уменьшается с увеличением магнитного поля. Физическая причина его заключается в том, что сила Лоренца искривляет траектории движения некоторых носителей. [42]
 |
График зависимости изменения величины начального напряжения на образце от времени задержки между инжектирующими импульсами тока. [43] |
Напряжение с образца подается на ограничитель импульсов ОГР, так как величина импульсов напряжения, возникающих на образце, значительно превышает изменение напряжения, вызванное модуляцией проводимости образца; с ограничителя импульсов напряжение подается на осциллограф ОСЦ. [44]
Взаимодействие атомарного водорода со свежеприготовленным образцом окиси цинка, впервые помещенным в реакционный объем, приводит к резкому ( более чем в 1000 раз) увеличению проводимости образца. [45]
Страницы: 1 2 3 4