Примесная проводимость

Cтраница 2

Примесную проводимость полупроводников рассмотрим на примере Ge и Si, в которые вводятся атомы с валентностью, отличной от валентности основных атомов на единицу. [16]

Примесную проводимость полупроводников рассмотрим на примере Ge и Si, в которые вводятся атомы с валентностью, отличной от валентности основных атомов на единицу. Образование свободного электрона не сопровождается нарушением ковалентной связи; следовательно, в отличие от случая, рассмотренного в § 242, дырка не возникает. Избыточный положительный заряд, возникающий вблизи атома примеси, связан с атомом примеси и поэтому перемещаться по решетке не может. [17]

Примесную проводимость полупроводников рассмотрим на примере Ge и Si, в которые вводятся атомы с валентностью, отличной от валентности основных атомов на единицу. [18]

Примесной проводимостью полупроводников называется их электропроводность, обусловленная наличием примесных центров. [19]

Возможна примесная проводимость, когда в полупроводник введены акцепторные и доиориые примеси. [20]

Почему примесная проводимость полупроводников при повышении температуры достигает насыщения. [21]

Энергетические уровни для [ IMAGE ] - 5. Энергетические уровни для. [22]

Формирование примесной проводимости полупроводников по зонной теории объясняют следующим образом. [23]

Рассмотрим примесную проводимость на примере цинкового феррита. Примесная проводимость в этом случае будет проводимостью n - типа, поскольку носителями являются локализованные на Fe2 электроны, компенсирующие более высокий заряд четырехвалентных катионов. [24]

Результаты изучения примесной проводимости были подтверждены данными изучения парамагнитного резонанса и термоэлектродвижущей силы. Все эти данные получены, однако, только для a - SiC, и имеются лишь единичные сведения об этих же свойствах для p - SiC. Крайне ограничены сведения, относящиеся к объектам исследования высокой степени чистоты. В большинстве все работы проведены на техническом карбиде кремния и этим, естественно, в значительной степени обесценивается познавательное значение полученных данных. [25]

Для р-типа примесной проводимости [ i сначала убывает с ростом Т, а затем растет, стремись - - Wn / ( 2 с аналогичным переходом, как и для н-тииа, к собственной проводимости мри высоких температурах. [26]

В случае примесной проводимости один тип носителей обычно преобладает над другим и в формуле ( 2) можно пренебречь одним из слагаемых. [27]

В области примесной проводимости выражение (82.27) упрощается, поскольку можно пренебречь проводимостью, создаваемой неосновными носителями заряда. [28]

В случае примесной проводимости электроны перемещаются от одной ловушки к другой, не попадая в зону проводимости диэлектрика. [29]

В области примесной проводимости связь каталитической активности с U может получиться, если в уравнение скорости каталитической реакции входит произведение концентрации электронов и дырок. [30]

Страницы: 1 2 3 4