Примесная проводимость

Cтраница 4

Согласно представлениям о примесной проводимости, полупроводниковые катализаторы должны быть крайне чувствительны к различным добавкам и загрязнениям. На самом деле наблюдается обратная картина - устойчивость полупроводниковых катализаторов ( окислов, сульфидов) к отравлению намного превосходит устойчивость металлических катализаторов; небольшие добавки, как правило, не меняют резко их каталитических свойств. В смешанных полупроводниковых катализаторах только значительное содержание добавок изменяет свойства катализатора. [46]

Для / 7-типа примесной проводимости цр сначала убывает с ростом Т, а затем растет, стремясь к - AW0 / 2 с аналогичным переходом, как и для л-тнпа, к собственной проводимости при высокой температуре. [47]

Участок АВ описывает примесную проводимость полупроводника. Рост примесной проводимости полупроводника с повышением температуры обусловлен в основном ростом концентрации примесных носителей. Участок ВС соответствует области истощения примесей ( это подтверждают и эксперименты), участок CD описывает собственную проводимость полупроводника. [48]

В полупроводниках с примесной проводимостью, так же как в изоляторах, полностью подтверждается формула ( 6) и соответствующая ей зависимость на рис. 2, если при этом крЬ определяется электропроводностью в соответствии с законом хрД х - La. [49]

В противоположность собственной проводимости примесная проводимость осуществляется зарядами только одного знака: отрицательного в случае донорных примесей и положительного в случае акцепторных примесей. Если в полупроводник введены и донорные и акцепторные примеси, то происходит компенсация примесей, - заключающаяся в том, что электроны доноров самопроизвольно переходят на уровень акцепторов и знак проводимости определяется той компонентной примеси, которая имеется в избытке. Более просто можно сказать, что электроны донорных атомов, слабо связанные с ними, переходят к акцепторным атомам, на которых они закрепляются прочнее. [50]

В условиях, когда примесная проводимость в кристалле является определяющей, изменения а с Р могут быть связаны как с изменениями концентрации, если давление окажется способным энергетически удалить уровни от соответствующей зоны на расстояние, при котором возможно вымораживание носителей тока при заданной Т, так и с изменениями подвижности. [51]

При низких температурах появляется примесная проводимость и в p - InSb. Коэффициент Холла сначала возрастает с понижением температуры, достигает максимума, а затем убывает в области проводимости по примесной зоне. Электропроводность растет все время с понижением температуры: быстрее в области выше точки максимума RH и медленнее - за ней. [52]

При низких температурах ( примесная проводимость) рассеяние на фононах незначительно и преобладающим становится рассеяние на ионизированных атомах примеси. Ионы примесей создают электрические поля, хотя и ослабленные из-за большой величины диэлектрической постоянной среды. [53]

Потенциальный барьер в р-п-перехсде. [54]

В то же время примесная проводимость имеет предел ( один атом примеси приходится на 107 - 108 атомов полупроводника), соответствующий ионизации всех наличных примесных атомов. Следовательно, при достаточно высокой температуре проводимость полупроводников всегда бывает почти собственной. [55]

Страницы: 1 2 3 4