Cтраница 3
Длинноволновая граница примесной проводимости в соответствии с примесным поглощением сдвинута в сторону больших длин волн относительно собственной фотопроводимости. Коэффициент поглощения в примесной области зависит от интенсивности возбуждающего света, так как вероятность поглощения фотонов определяется степенью заполнения примесных уровней. [31]
Для получения примесной проводимости нужного типа в полупроводниковой технике часто применяют фосфор, галлий, мышьяк, индий, сурьму. [32]
Наряду с примесной проводимостью, в германии имеется и некоторая собственная проводимость. [33]
Полупроводники с примесной проводимостью образуют очень большой класс полупроводниковых материалов. В работах советских ученых О. В. Гуляева, С. М. Рывкина, А. Я. Шика и других раскрыты исключительно широкие возможности использования названных материалов в различных областях науки и техники. Зависимость проводимости от температуры, интенсивности и частоты проникающего излучения, а также от других физических факторов позволяет применять такие полупроводники в качестве преобразователей первичной информации. [34]
Полупроводники с примесной проводимостью обладают иными зависимостями, чем химически чистые; поэтому наличие примесей ( например, германия и кремния) в полупроводниках значительно расширяет область их применения. [35]
При высоких температурах примесная проводимость переходит в собственную, ири которой в одинаковом числе образуются электроны в свободной зоне и дырки в заполненной. [36]
Зонная схема собственной проводимости. [37] |
Практически более важна примесная проводимость. Реальные кристаллы всегда содержат чужеродные атомы и характеризуются несовершенством кристаллической решетки. Эти несовершенства и отступления от стехиометрии в полупроводниках действуют как примеси. Поэтому практически нельзя получить абсолютно беспримесный полупроводник. Поведение полупроводника до наступления собственной проводимости определяется исключительно природой - и концентрацией примесей. [38]
Влияние акцепторных примесей на проводимость. [39] |
Таким-образом, создается примесная проводимость полупроводников, очень сильно изменяющая их электрические свойства. Подбор донорных и акцепторных примесей показан в табл. 129, где приведена часть лериодической системы Д. И. Менделеева, из которой исключены / - и fif - металлы, электронное строение которых является особым ( гл. [40]
Перейдем теперь к примесной проводимости, при которой на каждый атом уже не приходится целое число электронов. Примером снова может служить окись никеля, в которой небольшая часть ионов никеля замещена литием. Посредством такого замещения в решетку Ш2 - ионов вводится определенное число дырок, которые соответствуют более высоким валентным состояниям никеля ( Ni3) и приводят к возникновению проводимости посредством обмена валентностями. [41]
Температурная зависимость термоэдс для закиси меди ( 7 и молибденита ( 2.| Температурная зависимость термоэдс для сурьмянистого кадмия. [42] |
Рассмотрим сначала область примесной проводимости. [43]
Согласно представлениям о примесной проводимости, полупроводниковые катализаторы должны быть очень чувствительны к различным добавкам и загрязнениям. На самом деле устойчивость полупроводниковых катализаторов ( окислов, сульфидов) к отравлению намного превосходит устойчивость металлических катализаторов. В смешанных полупроводниковых катализаторах только значительное содержание добавок изменяет свойства катализатора. [44]
Наиболее интересен случай примесной проводимости. [45]