Дырочная проводимость - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Если мужчина никогда не лжет женщине, значит, ему наплевать на ее чувства. Законы Мерфи (еще...)

Дырочная проводимость

Cтраница 1


Дырочная проводимость в алмазах типа I с энергией активация, приближенно равной 0 3 эВ, в [176] связывалась с дислокациями, которые и дают акцепторные центры.  [1]

2 Холловская подвижность цн как функция / ecRH NH для двух образцов [ Фаулер А., неопубликованные результаты ]. Сплошные линии относятся к образцу с А / ок ( 6 2 1010см - 2, а штриховые - к образцу с NOK ( 13 4 4 Ю10 см-2. Приведены данные для температур 4 2 К ( /, 28 К ( 2, 77 3 К ( 3 и 300 К ( 4. Перекрытие значительной части кривых для образца с малым зарядом в окисле при 77 3 К и образца с большим зарядом в окисле при 4 2 К является случайным. Все низкотемпературные кривые приблизительно совпадают при больших Nt. [2]

Дырочная проводимость изучена значительно менее детально и кратко будет обсуждаться в § 1 гл.  [3]

Дырочная проводимость возникает в результате движения вакансий электронов валентной зоны и эквивалентна проводимости положительных по знаку носителей заряда - дырок.  [4]

Дырочная проводимость состоит в том, что под влиянием приложенной разности потенциалов перемещаются дырки, что равносильно перемещению положительных зарядов. В действительности, при дырочной проводимости происходит следующее. Если к полупроводнику приложена разность потенциалов, то под влиянием электрического поля электрон из нейтрального атома, у которого все электроны на своих местах, переместится влево на атом, снабженный дыркой. Благодаря этому атом, имевший дырку, становится нейтральным, а дырка переместилась вправо на атом, с которого ушел электрон. В полупроводниковых приборах процесс заполнения дырки свободным электроном называется рекомбинацией.  [5]

Дырочная проводимость этих веществ обусловлена примесью серы.  [6]

Остаточная дырочная проводимость в кремнии обусловлена в основном неконтролируемой примесью бора.  [7]

Дырочная проводимость окиси меди обусловлена избыточным содержанием кислорода против стехиометрии.  [8]

9 Распределение потенциала в р-я-переходе. а - без внешнего источника. б, в - с внешним источником. [9]

Дырочную проводимость не следует отождествлять с ионной, так как носителями тока по-прежнему являются, электроны. При электронной проводимости; свободный электрон проходит весь путь в кристалле, а при дырочной проводимости электроны поочередно заменяют друг друга в связях.  [10]

Дырочную проводимость не следует отождествлять с ионной, так как носителями тока по-прежнему являются электроны. При электронной проводимости свободный электрон проходит весь путь в кристалле, а при дырочной проводимости электроны поочередно заменяют друг друга в связях.  [11]

12 Полупроводниковый диод. [12]

Дырочную проводимость называют проводимостью типа р, а соответствующие примеси - акцепторами.  [13]

Дырочную проводимость не следует отождествлять с ионной, так как носителями тока по-прежнему являются электроны. При электронной проводимости свободный электрон проходит весь путь в кристалле, а при дырочной проводимости электроны поочередно заменяют друг друга в связях.  [14]

Дырочную проводимость ( голубую окраску) карбид крем-кия имеет в случае присутствия примесей элементов второй и третьей групп - кальция, магния, бора, алюминия, галлия, индия. Избыток кремния сверх стехиометрического отношения вызывает электронную проводимость, избыток углерода - дырочную.  [15]



Страницы:      1    2    3    4    5