Дырочная проводимость

Cтраница 2

Дырочную проводимость ( голубую окраску) карбид, крем-кия имеет в случае присутствия примесей элементов второй и третьей групп - кальция, магния, бора, алюминия, галлия, индия. Избыток кремния сверх стехиометрического отношения вызывает электронную проводимость, избыток углерода - дырочную. [16]

Зависимость дрейфовой скорости дырок L / TT от концентрации молекул три-фениламина в пленках лексана. Напряженность электрического поля F - 50 В / мкм, температура 296 К. Светлые точки получены для образцов, содержащих также 1 1021 см-3 молекул ИПК. Точка, обозначенная звездочкой, соответствует ипк 2 1020 см-3. Темные точки получены на образцах, не содержавших ТФА. На вставке показана зависимость энергии активации подвижности Д от концентрации ТФА, измеренная при F 75 В / мкм. [17]

ТФА дырочная проводимость должна осуществляться по этим молекулам - соответствующее поведение скорости дырок и энергии активации их переноса показано на рис. 6.5.26. Дрейфовая скорость вычислялась как L / tT, где ( т брали из построенной в двойном логарифмическом масштабе кривой для импульса тока ( так, как это показано на рис. 6.5.16); напомним, что за время tT через образец проходит лишь 10 - 15 % инжектированных носителей. На рис. 6.5.26 приведены два набора данных. Один из них ( темные кружки) соответствует случаю, когда в лексан введен только ТФА, второй ( светлые кружки) - когда полимер содержал постоянную концентрацию ИПК, а концентрация ТФА при этом варьировалась. При яТФА 0 ( на рисунке указана стрелкой) перенос заряда осуществляется путем прыжков носителей по молекулам ИПК. [18]

Триод с источниками питания и нагрузкой. [19]

Механизм дырочной проводимости выглядит следующим образом. Такое перемещение электронов в объеме кристалла равноценно движению дырок, что приводит к возникновению проводимости за счет перемещения положительных зарядов, или р-п роводимости. Атомы примеси, обусловливающие такую проводимость, называются акцепторами. [20]

Наличие дырочной проводимости в жидких полупроводниках показывает, что это явление характеризует не только периодическую структуру кристалла. Полная аналогия, существующая между свойствами твердых и жидких электронных полупроводников, требует совместного изучения обоих состояний. [21]

Прохождение тока через ми ПУСТЬ HH 3Ритель из пеРв - полупроводники с электронной ( а го ряда встал и ушел, а на осво-и дырочной ( б проводимостями водившееся кресло пересел зритель из второго ряда. В свою. [22]

При дырочной проводимости в действительности перемещаются электроны, но более ограниченно, чем при электронной проводимости. Электроны переходят из данных атомов только в соседние. Результатом этого является перемещение положительных зарядов - дырок - в направлении, противоположном движению электронов. [23]

При дырочной проводимости ( рис. 6.2 б) в соединительных проводах по-прежнему движутся электроны, а в полупроводнике ток следует рассматривать как перемещение дырок. Электроны с отрицательного полюса А поступают в полупроводник и заполняют пришедшие к этому полюсу дырки. Такое объединение электронов с дырками называют рекомбинацией. К положительному полюсу Б приходят электроны из соседних частей полупроводника, и в этих частях образуются дырки, которые перемещаются от правого края к левому. [24]

Образование дырочной проводимости кремния ( или другого проводника) можно проследить по рис. 1.7, на котором изображено состояние шести атомов кремния в шесть моментов времени, обозначенных цифрами от / до 6; причем для простоты межатомные связи не показаны, а у атомов показан только один электрон. [26]

Природа дырочной проводимости гексагонального селена до сих пор остается загадкой. Предполагается, что, помимо посторонних примесей, акцепторами являются также отдельные атомы селена, оторвавшиеся от длинных цепочек атомов и не пристроившиеся к кристаллам. Такое предположение о природе проводимости в селене подкрепляется тем, что посторонние примеси действуют в селене не столь значительно, как это имеет место в германии или кремнии или в других полупроводниках, получающихся из расплавов в виде монокристаллов. [27]

Рассмотрим дырочную проводимость на поверхности окислов и ее связь с величиной поверхности катализатора, числом активных центров и степенью заполнения хемосорбированным кислородом. Как отмечалось выше, при отсутствии L-иона центром адсорбции принципиально может быть каждый поверхностный катион. Однако по различным физическим или физико-химическим причинам не каждый ион может быть доступен для хемосорб-ции кислорода, в случае углерода должны быть свободные или непрочные связи. [28]

Но при дырочной проводимости электроны перемещаются по местам, где образуются дырки и создаются вакантные энергетические уровни в заполненной зоне, а при электронной проводимости движутся свободные электроны, находящиеся на энергетических уровнях свободной зоны. [29]

Для объяснения дырочной проводимости и недостаточно хороших электрофизических характеристик конденсатов германия, образующихся в обычных условиях, предложено несколько гипотез. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5