Дырочная проводимость

Cтраница 3

Полупроводники с дырочной проводимостью обычно называют полупроводниками с проводимостью р-типа. [31]

Область с дырочной проводимостью ( р-типа) имеет очень низкое удельное сопротивление и является эмиттером по отношению к более высокоомному кристаллу полупроводника п-типа - базе диода. [32]

В р-области Йреобладает дырочная проводимость, ее концентрация выражается как NA, т.е. концентрация акцепторной примеси. Электрод, подводимый к р-области, получил название анод. В n - области преобладает электронная проводимость, ее концентрация выражается как, т.е. концентрация донорной примеси. Электрод, подводимый к n - области, получил название катод. В реальном диоде выполняется неравенство NA N, и р - гг-переход получил название несимметричного. [33]

Знак относится к дырочной проводимости, знак - к электронной. [34]

Появление электронной или дырочной проводимости при введении в идеальный кристалл различных примесей происходит следующим образом. Предположим, что в кристалле кремния один из атомов замещен атомом сурьмы. Четыре электрона образуют парные электронные связи с четырьмя ближайшими соседними атомами кремния. Оставшийся пятый электрон будет двигаться около атома сурьмы по орбите, подобной орбите электрона в атоме водорода, но сила его электрического притяжения к ядру уменьшится соответственно диэлектрической проницаемости кремния. Слабо связанный электрон легко может быть оторван от атома сурьмы под действием тепловых колебаний решетки при низких температурах. Такая низкая энергия ионизации примесного атома означает, что при температурах около - 100 С, все атомы примесей в германии и кремнии уже ионизированы, а освободившиеся электроны участвуют в процессе электропроводности. [35]

Схема электрохимического травления германия. [36]

Для полученп: преимущественной дырочной проводимости в приповерхно стном слое необходима возможно большая плотность элек тронных уровней на поверхности. Обнаружено, что раз личные металлические контакты способствуют созданш различной плотности поверхностных уровней. Наиболе пригодными для этой цели оказались индий, цинк, кадит олово и медь. [37]

Область, имеющая дырочную проводимость и являющаяся эмиттером, легирована акцепторами настолько, что падением напряжения на ней пренебречь. [38]

Зависимость концентрации носителей в пленках РЬТе на NaCl ( штрихи и BaF2 ( сплошные линии от парциального давления паров Те2 при Тп 400 С ( 7, 380 ( 2, 360 ( 3 и 340 С ( 4. [39]

Тор пленки имеют дырочную проводимость, причем концентрация носителей р растет с увеличением температуры подложки Ти в интервале 340 - 400 С. Следует отметить, что при более низких температурах конденсации теллурида свинца на NaCl ( 50 - 260 С) в [69] наблюдали обратную картину. Таким образом, зависимость р ( Ти) в интервале 50 - 400 С имеет минимум. В то же время зависимость концентрации электронов п от Гп, согласно [148], имеет максимум. [40]

Этот полупроводник имеет дырочную проводимость. Мелкие зерна карбида кремния смешивают с огнеупорной глиной или жидким стеклом. После прессовки и термической обработки связующая масса затвердевает, при этом зерна основного материала на некоторой небольшой части своей поверхности соприкасаются тонкими пленками кварцевого стекла, которые образуются в процессе термической обработки. [41]

Мостовая схема для дистанционного измерения темпера. [42]

Этот полупроводник имеет дырочную проводимость. Мелкие зерна карбида кремния смешивают с огнеупорной глиной или жидким стеклом. После прессовки и термической обработки связующая трасса затвердевает, при этом зерна основного материала на некоторой небольшой части своей поверхности соприкасаются тонкими пленками кварцевого стекла, которые образуются в процессе термической обработки. [43]

Типы адсорбции на поверхности ионного кристалла ( по Ф. Ф. Волькенштейну. [44]

Свободные дырки обеспечивают дырочную проводимость кристалла. Дырка трактуется как свободная отрицательная валентность. [45]

Страницы: 1 2 3 4 5