Дифференциальная проводимость

Cтраница 1

Дифференциальная проводимость ТД g практически не зависит от частоты. Поэтому частотные свойства ТД в основном характеризуются паразитными параметрами его эквивалентной схемы. [1]

Полная эквивалентная схема триода с общей базой в режиме малого сигнала. [2]

Поскольку дифференциальные проводимости у и уи заданы в виде гиперболических функций, то в общем случае эквивалентная схема для идеального триода будет представлять собой бесконечную линию, составленную из П - ячеек, на выходе которых включен усилитель К. [3]

Кроме дифференциальной проводимости, р-п-переход характеризуется статической емкостью, обусловленной разделением заря - дов на переходе. Величина ее зависит от конфигурации перехода и приложенного к нему напряжения. [4]

Токовые характеристики схем, состоящих из параллельного соединения диодных элементов ( с потенциально заземляемыми диодами, работающих на выключение. [5]

Они дают убывание дифференциальной проводимости с ростом абсолютного значения входного сигнала и поэтому непосредственно пригодны для воспроизведения нелинейных зависимостей с отрицательными значениями второй производной. [6]

При dv / dE0 дифференциальная проводимость, а также дифференциальное сопротивление становятся отрицательными, что обусловливает возможность использования диодов Ганна в качестве генераторов и усилителей электрических колебаний. Ганна хорошо работают на свч. [7]

Зависимость i / ( Е полупроводника в электрическом поле.| Энергетические зоны полупроводника в сильном электрическом поле. 7 - схема ионизации при соударении. 2 - схема электростатической ионизации. [8]

В соответствии с этим дифференциальная проводимость полупроводника на этом участке оказывается величиной отрицательной. [9]

Теперь необходимо найти зависимость дифференциальной проводимости д / ф / ди от лр. Наиболее просто это сделать для случая слабой равномерной ионизации и слабого электрического поля. Если ток проводимости описывается законом Ома [ см. уравнение (1.54) ], то проводимость пропорциональна скорости образования зарядов. [10]

В результате и в режиме насыщения выходная дифференциальная проводимость транзистора сток - исток имеет конечное значение. [11]

Эквивалентная схема туннельного диода. RK - дифференциальное сопротивление перехода. С - емкость перехода. гд - сопротивление потерь. Lg - собственная индуктивность прибора. С0 - емкость корпуса диода.| Характеристики р-п перехода. [12]

На участке АВ дифференциальное сопротивление RK и дифференциальная проводимость 0Л являются отрицательными. [13]

Определение сопротивления и дифференциального сопротивления по характеристике.| Замена нелинейного элемента линейным резистором и источником э. д. с. [14]

Аналогично при параллельном соединении нескольких нелинейных элементов дифференциальная проводимость результирующей характеристики при каком-то токе равна сумме дифференциальных проводимостей отдельных элементов. [15]

Страницы: 1 2 3 4