Cтраница 2
Величину dl / dU, имеющую смысл дифференциальной проводимости, можно найти графически из вольт-амперной характеристики детектора. Интересно установить связь dVJ / dC с подвижностью зарядов, током, геометрическими размерами камеры. Для этого рассмотрим следующую модель: свободный электрон проходит в зоне отрицательного объемного заряда расстояние ( см. рис. 25), затем захватывается молекулой электро-ноакцепторного вещества, и оставшийся путь / - 1е 1-отрицательный ион движется с более медленной скоростью. Очевидно, величина 1е зависит от С, и мы позже эту связь найдем. [16]
Величину dl / dil, имеющую смысл дифференциальной проводимости, можно найти графически из вольт-амперной характеристики детектора. Интересно установить связь dU - ldC с подвижностью зарядов, током, геометрическими размерами камеры. Очевидно, величина 1е зависит от С, и мы позже эту связь найдем. [17]
Величина у d / / dE3 называется удельной дифференциальной проводимостью ( или просто электропроводимостью) вещества. Обратная ей физическая величина 1 / у р называется удельным дифференциальным электрическим сопротивлением. [18]
Наличие падающего участка характеристики, соответствующего отрицательному значению дифференциальной проводимости G dJIdU, дает возможность использовать такие диоды для создания генераторов или усилителей, способных работать при очень высоких частотах, так как туннельный ток, в отличие от диффузионного, переносится основными носителями и практически безынерционен. [19]
В кристаллических, туннельных и туннельных обращенных преобразователях используется переменная дифференциальная проводимость g - диодов. [20]
![]() |
Эквивалентные электрические схемы элементарных объемов активной ( а, пассивной ( б и периферийной ( в областей интегрального транзистора.. [21] |
Для расчета частотных характеристик нелинейные элементы в эквивалентных схемах рис. 2 заменяются их дифференциальными проводимостями, вычисленными при заданной величине статического смещения. [22]
Показано [10.4], что устойчивы только такие состояния системы со шнуром, для которых дифференциальная проводимость отрицательна. Увеличение тока выше значения Д, начиная с которого дифференциальная проводимость отрицательна, приведет к скачкообразному уменьшению напряжения. [23]
![]() |
Схемы измерения глубины залегания р - п-перехода методом косого шлифа ( а и методом шаровой лунки ( о. [24] |
Истинное ( уточненное) распределение примеси по глубине может быть определено в лабораторных условиях способом дифференциальной проводимости. Метод основан на многократных удалениях тонких ( 200 - 500 А) слоев кремния, чередующихся с измерениями проводимости оставшегося слоя. Для удаления очередного слоя используется анодное окисление поверхностного слоя и последующее стравливание окисла плавиковой кислотой. Средняя удельная проводимость оставшегося слоя определяется четырехзондовьш методом. [25]
Аналогично при параллельном соединении нескольких нелинейных элементов дифференциальная проводимость результирующей характеристики при каком-то токе равна сумме дифференциальных проводимостей отдельных элементов. [26]
Задачей нелинейного анализа является определение периодических временных зависимостей g ( t) и c ( t) дифференциальных проводимости и емкости диода, помещенного в смесительную камеру и находящегося под воздействием мощности гетеродина и постоянного смещения. [27]
Нетрудно видеть, что величины bt, gt, yt представляют собой соответственно реактивную, активную и полную дифференциальные проводимости выходной цепи схемы и сразу же могут быть определены из рассмотрения схемы. [28]
Изложенное показывает, что синтезирование схем нелинейных преобразователей из рассмотренных диодных элементов может быть выполнено, исходя из заданного характера изменения дифференциальной проводимости и начального и конечного значения тока, посылаемого схемой в суммирующую точку. [29]
Нелинейный двухполюсник с подобной характеристикой будем называть нелинейной проводимостью, поскольку тангенс угла наклона кривой к оси / в каждой точке соответствует дифференциальной проводимости. [30]