Дифференциальная проводимость

Cтраница 3

Теоретическая кривая зависимости сила-длительность в двойном логарифмическом масштабе и экспериментальные точки. [31]

На основе принятой модели показано, что развитие спайка на мембране аксона начинается с того момента, когда мембранный потенциал достигает величины, при которой дифференциальная проводимость отрицательна и превышает по абсолютной величине проводимость мембраны. Теория дает правильное соотношение между силой тока и длительностью импульса. [32]

Измеритель статических параметров полевых транзисторов Л2 - 31 предназначен для измерения в производственных условиях токов утечки между электродами, порогового напряжения, тока стока и Л выходной дифференциальной проводимости полевых транзисторов. [33]

Крутизну характеристики можно рассматривать как дифференциальную или внутреннюю проводимость диода при переменном токе, следовательно, если известно дифференциальное сопротивление диода, то тем самым известна и дифференциальная проводимость, таким образом, крутизна не является независимым параметром диода. [34]

Упрощенная эквивалентная схема структуры МДП без ПЭС. [35]

С - удельная емкость диэлектрика; ( - ОПЗ ВЧ - удельная высокочастотная емкость ОПЗ; С ( СдпЗ НЧ - - ( СдпЗ) ВЧ 6 - эффективная дифференциальная проводимость ОПЗ, обусловленная геиерационно-рекомбннацион-ными процессами в полупроводнике; Ооб йоб - проводимость объема полупроводникового материала. [36]

Ux - UK, и диод Д1 в цепи положительной обратной связи заперт, а через Д2 протекает ток смещения / см. При плавном увеличении UK ( по абсолютной величине) в некоторый момент рабочая точка диода Д выводится на прямолинейный участок вольтамперной характеристики и токи / 17 / 2 перераспределяются. С возрастанием 11 дифференциальная проводимость gt диода Дг увеличивается и при I / пор достигает порогового значения gnop ПРИ котором формируется передний фронт выходного импульса. Появление на выходе переднего фронта импульса свидетельствует об окончании процесса сравнения напряжений Ux и UK. [37]

Амплитуды высших гармоник магнитных потоков тем меньше, чем меньше зубцовые деления, и зависимость их от числа пазов сходна с аналогичной зависимостью проводимости по головкам зубцов от числа пазов. На основании этой аналогии очень часто определяют расчетную дифференциальную проводимость А д, учитывающую наличие как высших гармоник потоков, так и рассеяние через головки зубцов. [38]

Система - параметров содержит коэффициенты в виде частных производных в уравнениях ( 12 - 50) для четырехполюсника. Эти параметры, имеющие размерность проводимостей, являются дифференциальными проводимостями транзистора. [39]

Показано [10.4], что устойчивы только такие состояния системы со шнуром, для которых дифференциальная проводимость отрицательна. Увеличение тока выше значения Д, начиная с которого дифференциальная проводимость отрицательна, приведет к скачкообразному уменьшению напряжения. [40]

Величина У1 с ростом евх уменьшается. Следовательно, для воспроизведения заданной нелинейной зависимости следует использовать диодные элементы, работающие на выключение, обеспечивающие положительное значение дифференциальной проводимости. [41]

По отношению к малому постороннему электрическому сигналу управляемую мощным гетеродином проводимость ( рис. 3.16) tan же, как изменяющуюся с помощью электродвигателя проводимость потенциометра ( см. рис. ЗЛа), можно рассматривать ка к ли-нейный двухполюсник с периодически изменяющейся проводимостью. При этом, очевидно, малый уровень электрического сигнала, подводимого к двухполюснику, не может оказать сколь нибудь заметного влияния на величину и характер изменения его дифференциальной проводимости. Поэтому и здесь существует интервал значений уровней сигнала, в пределах которого проводимость g ( t) остается неизменной, : и рассматриваемый двухполюсник по отношению к входному сигналу ведет себя как линейная цепь. [42]

В кристаллических, параметрических, туннельных и других преобразователях частоты используются рассмотренные ранее двухполюсники с периодически изменяющимся параметром. Если для реализации параметрического преобразователя в качестве переменного параметра применяется периодически изменяющийся реактивный элемент - емкость параметрического диода ( см. рис. 3.26), то з кристаллическом и туннельном преобразователях используется управляемая дифференциальная проводимость ( см. рис. 3.16) диодов соответствующих названий. По этой причине перечисленные типы преобразователей именуются диодными. [43]

При этом домен успевает разрушиться, так как время диэлектрической релаксации в слабом поле мало ( порядка 10 - 12 с) по сравнению с периодом колебаний. В режиме ОНОЗ удается достигнуть большей мощности и на более высоких частотах ( до сотен гигагерц) благодаря тому, что во время положительной полуволны домен не успевает сформироваться и в большей части образца дифференциальная проводимость остается отрицательной. [44]

Схема включения образца для наблюдения токовой неустойчивости. [45]

Страницы: 1 2 3 4