Трехмерной зародыш

Cтраница 2

В результате различные грани зерна, образовавшиеся из трехмерного зародыша, будут характеризоваться различными значениями гкр. При этом, если силу тока поддерживать постоянной, то плотность тока г, вследствие роста зерна во всех направлениях, будет постоянно уменьшаться, пока не начнется рост той грани, для которой гкр имеет наибольшее значение. [16]

Из этого уравнения видно, что работа образования трехмерного зародыша обратно пропорциональна логарифму квадрата пересыщения раствора. [17]

В этом случае в результате гидратации ПГ могут образовываться только трехмерные зародыши, поскольку свойства поверхности песка резко отличаются от свойств поверхности новообразований. [18]

Очевидно, скорость образования зародышей кристаллов пропорциональна вероятности образования трехмерного зародыша, умноженной на вероятность того, что этот зародыш растет. [19]

На первой стадии конденсации паровой фазы на поверхности подложки образуются трехмерные зародыши жидкой или твердой фазы, которые постепенно увеличиваются, срастаются между собой, создавая сплошную пленку конденсируемого вещества. [20]

В большинстве случаев ориентированного роста на ранней стадии конденсации образуются изолированные трехмерные зародыши при количестве вещества, недостаточном для образования одного монослоя. Обычно эти зародыши становятся видимыми в электронном микроскопе после того, как их размер достигает приблизительно 15 А. [21]

Здесь W0 - предэкспоненциальный множитель; W - вероятность образования трехмерного зародыша; Wr - вероятность образования зародыша новой фазы на поверхности подложки. [22]

Начальные стадии восстановления окиси никеля водородом ( естественное. [23]

В качестве первого примера мы рассмотрим такую реакцию, в которой трехмерные зародыши возникают примерно с постоянной скоростью по истечении периода индукции. [24]

Различные механизмы кристаллизации на поверхности. [25]

Так как V Ф а и ас - f 0, то образуются трехмерные зародыши, и лишь при Ov - - а ев дальнейший рост также происходит путем образования плоских слоев. Случай, соответствующий рис. 90 ( кривая IV), согласно которому образование зародышей не наступает ни на какой стадии роста, поэтому не реализуется. [26]

Автодекорированне поверхности алмазного монокристалла на начальной кристаллизации ( X 100 000. [27]

Иначе обстоит дело с блокированием граней алмаза щимся графитом, образующим на них трехмерные зародыши ково растущие как в толщину, так и в направлении граней. Образующиеся трехмерные зародыши графита, в отличие от двухмерных зародышей алмаза, не способны замостить грань одноатомным слоем графита, поэтому блокирование каждой грани происходит под совокупным действием кристаллических зародышей графита, вательно образующихся и растущих на ней бок 6 бок. Отсюда понятно, почему в наших опытах с большими кристаллами ( 3 - 4 мм) можно было получать большую линейную скорость роста, чем для порошков. [28]

В противном случае осаждение металла происходит как бы на индифферентном электроде с образованием трехмерного зародыша. [29]

Джойсом с сотрудниками [ 41 показано, что при гомоэпитаксии кремния из молекулярного пучка трехмерные зародыши возникают после загрязнения поверхности от 0 01 монослоя молекулами углерода или кислорода. [30]

Страницы: 1 2 3 4