Трехмерной зародыш

Cтраница 4

Выражения для критического радиуса двухмерного зародыша, если предположить для простоты, что остров круглый и изменение свободной энергии связано с процессом кристаллизации, могут быть получены таким же способом, как было описано для трехмерного зародыша. Вообще можно предположить, что для того чтобы произошла кристаллизация этого типа, необходима высокая степень пересыщения, но она ниже по сравнению с той, которая требуется для образования трехмерных зародышей в эквивалентных условиях. [46]

Фольмер, используя представления, развитые Гиб-бсом, Кюри, Вульфом, Косселем, Брандесом, Странским, Каишевым, а также Беккером и Дерингом, нашел зависимость тока от перенапряжения для случаев, когда торможение процесса определяется стадией образования трехмерного зародыша новой фазы, стадией образования двумерного зародыша на грани или разрастанием зародыша на грани. [47]

Экспериментальные возражения против механизма Франка - Ван-дер - Мерве состоят в следующем: 1) ориентированный рост наблюдается не только при значениях А АКрит, но и при существенно большем различии параметров; 2) в большинстве случаев при росте образуются не сплошные слои осадка, а трехмерные зародыши; 3) псевдоморфизм в толстых слоях осадка экспериментально не обнаружен. [48]

Так, в реакции сульфидирования серебряной проволочки с помощью сероводорода при повышении температуры от 581 до 651 С и одновременном понижении давления газа до 1 торр ( кривые 3 на рис. 43 и 44) определяющая стадия, вероятно, остается локализованной на внешней поверхности раздела, но вместо образования защитного слоя сульфида начинают расти отдельные трехмерные зародыши. Кривые a ( t) становятся сигмоидными, а на соответствующих им кривых У ( а) появляется максимум. [49]

Трехмерные зародыши также могут образовываться только в результате явления статистических колебаний, которые связаны с временным локальным снижением энтропии. [50]

Отношение работ образования критических трехмерного и двухмерного зародышей, как показывает сопоставление выражений ( IV - 18) и ( IV - 48), определяется безразмерной величиной аКш / Ац 6, которая может быть записана также в виде ст62 / А д, ( № / Vm), где числитель - это поверхностная энергия одной ячейки решетки кристалла, а знаменатель - разность химических потенциалов, отнесенная к одной молекуле. При малых пересыщениях работа образования трехмерного зародыша значительно выше работы образования двухмерного зародыша; между тем и эта последняя величина достаточно существенна, чтобы заметно затруднить рост частиц новой фазы. Экспериментальные исследования процессов кристаллизации показывают, однако, что в реальных системах обычно не возникает существенных кинетических затруднений росту кристаллов при малых пересыщениях. [51]

Изменение скорости взаимодействия со временем для автокаталитических реакций. [52]

Так как при этом должны возникнуть трехмерные зародыши новой фазы С, то в силу значительных трудностей их формирования скорость реакции в инкубационном периоде обычно настолько мала, что не улавливается принятой методикой измерений. [53]

Для возникновения зародышей новой фазы необходима затрата энергии. Пусть Аа - работа, необходимая для образования устойчивого трехмерного зародыша. В момент образования зародыша вещество из пересыщенного состояния переходит в насыщенное. [54]

В этом случае цепочка заканчивается в среднем на какой-либо доле размера последнего строительного элемента. Соответствующие рассуждения применимы и к дву -, трехмерному зародышу. [55]

Им были введены очень важные понятия о двух - и трехмерных зародышах критических размеров и об их роли в построении новой твердой фазы. Рост трехмерных зародышей происходит при образовании на их поверхности двухмерных зародышей, составляющих адсорбционный слой, который расположен на границе раздела твердой и жидкой фаз. [56]

Страницы: 1 2 3 4