Трехмерной зародыш

Cтраница 3

При изучении начальных стадий роста медных покрытий установлено, что на активированной палладием поверхности растут трехмерные зародыши меди; кристаллиты размером 2 5 - 5 нм соединяются в агрегаты ( 30 - 50 нм), которые затем рекристалли-зуются в большие зерна. [31]

Зародыш обладает краевой свободной энтальпией т ] на единицу длины, соответствующей поверхностной свободной энтальпии трехмерного зародыша. Если предположить, что зародыш имеет форму диска, то можно рассчитать следующие величины. [32]

Френкель [25] исходит из этого же механизма образования зародышей, однако считает, что возникновение трехмерного зародыша происходит без правильного наслаивания, а примерно так же, как образование равновесной капли из пересыщенного пара. При этом он ссылается на предположения Оствальда, что, например, при сублимации молекулы пересыщенного пара сначала конденсируются в капли, а уже затем кристаллизуются. [33]

Схема к расчету энергии удаления одной частицы с поверхности трехмерного зародыша. [34]

Вычислим сначала среднюю энергию удаления одного такого кубика ( с ребром г) с поверхности трехмерного зародыша. [35]

В ряде работ наблюдаемое перенапряжение при электролитическом осаждении металлов объясняется замедленностью образования двух - и трехмерного зародыша. [36]

Уже при наличии на поверхности монокристальной подложки более 0 01 монослоя загрязнений вместо роста слоями образуются трехмерные зародыши кремния. Этот результат позволяет заключить, что при эпитаксии в чистых условиях типичным является слоистый рост. Образование трехмерных зародышей в большинстве случаев является результатом присутствия загрязнений, иногда в исчезающе малых количествах. [37]

Выше рассматривался процесс гомогенного зарождения, когда центр кристаллизации образуется в результате присоединения отдельных атомов к развивающемуся трехмерному зародышу сферической формы. [38]

Возможные точки присоединения нового структурного элемента к растущей идеальной грани кристалла. [39]

Очевидно, что при образовании такого островка затруднения роста грани становятся наименьшими; его называют по аналогии с трехмерным зародышем двумерным. [40]

Причина, по-видимому, заключается в том, что возникающее при этом пересыщение раствора недостаточно велико, чтобы смогли образоваться трехмерные зародыши новой фазы. Эта стадия лимитирует весь процесс, а созданные условия неблагоприятны для ее осуществления. [41]

В этом случае частицы, принимающие участие в образовании новой фазы, также не должны обладать всей энергией для построения трехмерного зародыша. Известная часть ее оказывается выигранной за счет работы ориентирующих сил атомов подкладки. Однако теперь в кристаллизации смогут принять участие только те из частиц, у которых имеется энергия, потребная для осуществления деформации. [42]

Зародыш А, ориентированный относительно подложки, имеет форму квадратной пластины моноатомной толщины со стороной /, равной длине ребра куба трехмерного зародыша. [43]

В согласии с этой точкой зрения, при наличии кристалло-химического соответствия для возникновения новой поверхностной фазы не требуется предварительной затраты энергии на образование трехмерного зародыша этой фазы. Возможен непрерывный переход от металлической фазы к фазе окиси, хотя возникновение двумерных зародышей, требующихся для роста любой кристаллической системы, будет связано с затратой энергии на их образование. [44]

Зависимость величины тока i от перенапряжения т) должна иметь вид; 3 - Л ехр ( - Л 3 / т ] 2) в процессе, где затруднения связаны с образованием трехмерного зародыша, и U В ехр ( - А 2 / т)) в процессе, где трудности определяются величиной работы, требуемой для формирования двумерных зародышей. А 2 определяются величинами молекулярного объема вещества и, соответственно, поверхностной н краевой энергии и темп-ры; В и Б - постоянные для данного типа процессов. [45]

Страницы: 1 2 3 4