Вторичное зародышеобразование

Cтраница 1

Вторичное зародышеобразование происходит, как правило, в слабо пересыщенных растворах. [1]

Гомогенное зародышеобразование в ч с-полиизопрене [ П. 3270 ]. [2]

Вторичное зародышеобразование - это зародышеобразование на поверхности растущего кристалла. [3]

Вторичное зародышеобразование, как правило, наблюдается только в присутствии кристаллов получаемого вещества. Естественно, что в основном оно происходит в слабо пересыщенных растворах в области состояний растворов, относящейся к первой метастабильной зоне. Но вместе с тем возможны случаи вторичного образования центров кристаллизации и при более высоких пересыщениях. Сюда, например, относится появление новых кристаллов при падении одиночного более или менее крупного кристалла в пересыщенном растворе. Поэтому механизм образования вторичных зародышей вероятнее всего связан с процессами, идущими при очень небольших пересыщениях. [4]

Вторичное зародышеобразование контактного типа тоже может происходить по-разному. Наиболее простой из механизмов заключается в дроблении кристаллов при соударениях друг с другом или при столкновении с поверхностью аппаратуры. Каждая получившаяся за счет дробления частица превращается в самостоятельный центр кристаллизации. [5]

Анализ вторичного зародышеобразования ( см. разд. Следовательно, в этом случае молекулярное зародышеобразование может играть более важную роль. Даже при образовании вторичного зародыша из сложенной цепи может стать необходимым учет молекулярного зародышеобразования. Вследствие того что в этом случае, так же как и при первичном зародышеобразовании, член, учитывающий влияние молекулярного зародышеобразования, должен быть добавлен к поверхностной свободной энергии [ см. уравнение ( 29) ], отсутствует простой путь экспериментального подтверждения роли молекулярного зародышеобразования, оно будет возможно при разработке независимого пути расчета поверхностной свободной энергии. [6]

Механизмы вторичного зародышеобразования весьма разнообразны. [7]

При бесконтактном вторичном зародышеобразовании источником новых центров может являться или сам затравочный кристалл, или раствор в жидком слое, контактирующий с кристаллами. Отломанные частицы служат в качестве центров кристаллизации. [8]

Возможный механизм образования зародышей и роста кристаллов типа бахромчатых мицелл. а - рост преимущественно вдоль цепи. б - рост преимущественно нормально оси цепи. [9]

Основные принципы вторичного зародышеобразования и роста кристаллов, рассмотренные в разд. Предполагается, что молекулярный зародыш ( разд. [10]

Простейшим случаем бесконтактного вторичного зародышеобразования является возникновение новых центров кристаллизации при введении одиночного кристалла или нескольких кристаллов в раствор. Если ввести кристалл в сосуд с пересыщенным раствором и позволить ему свободно опускаться на дно, то часто можно заметить, что его падение сопровождается образованием облака новых кристаллов [35], которое следует за частицей. Предполагается, что облако образуется в результате отслоения пылинок, находящихся на поверхности кристалла. Во время падения кристалла в растворе они смываются им и начинают расти самостоятельно. [11]

Представления о вторичном зародышеобразовании при росте мак-ромолекулярных кристаллов должны быть развиты для двух отдельных случаев. Первый случай - это кристаллизация в процессе полимеризации, когда зародыш образуется из олигомерных молекул и растет далее в результате добавления к нему молекул мономера, т.е. как при кристаллизации низкомолекулярных соединений. Представления о вторичном зародышеобразовании в этом процессе должны быть аналогичны представлениям о нем при кристаллизации таких низкомолекулярных веществ, как парафины. Во втором случае требуется детально учитывать макромолекулярную природу кристаллизующихся веществ. Он соответствует кристаллизации после полимеризации. При таком процессе образуются вторичные зародыши из сложенных цепей или типа бахромчатой мицеллы. [12]

Для установления механизма вторичного зародышеобразования в пересыщенный раствор вводили какие-нибудь одни кристаллы, правые или левые. Вместе с тем в растворе в присутствии затравочных кристаллов появлялись новые зародыши - и левые, и правые. Наблюдаемое явление послужило доказательством тому, что вторичные зародыши могут образовываться не только из самих затравочных кристаллов. [13]

Определим параметры скорости вторичного зародышеобразования в растворах. [14]

Приведенные данные по вторичному зародышеобразованию в растворах различных солей интересны прежде всего с точки зрения оценки значимости того или иного механизма зарождения новой фазы в присутствии кристаллов затравки. Судя по приведенным данным, они далеко не равнозначны. Очень большое число вторичных зародышей образуется за счет содержащихся на поверхности кристаллов мельчайших частиц твердой фазы. При том же переохлаждении вчрезультате прямых соударений образуется около 500 зародышей сульфата магния за 1 мин. Сравнивая эти цифры, видим, что в момент введения примеси происходит интенсивное зародышеобразование. Из механизмов контактного зародышеобразования наиболее эффективными представляются соударения при перемешивании. [15]

Страницы: 1 2 3 4