Cтраница 4
В общем случае можно считать, что интенсивность вторичной нуклеации пропорциональна суммарной площади поверхности всех кристаллов и величине площади внутренних поверхностей кристаллизационного аппарата; усиление пересыщения раствора и его перемешивания также приводят к увеличению интенсивности вторичного зародышеобразования. [46]
Те - - T) / TQ, а теплота плавления заменена на соответствующую теплоту растворения А / г Уравнения ( 112) - ( 114) можно использовать для анализа как первичного, так и вторичного зародышеобразования, а. Основным эффектом, который юявляется при этом, является замедление скорости образования за-эодышей кристаллизации вследствие понижения равновесной темпе-затуры плавления Ге из-за увеличения числа сополимерных звеньев з расплаве. Временная шкала выражена в до-шх времени полукристаллизации, которое наблюдалось бы при по-тоянной концентрации. [47]
После проведения экспериментального исследования кинетики кристаллизации аллюмоаммонийных квасцов можно было сделать выводы: 1) с увеличением времени пребывания кристалла в аппарате размер его увеличивается; 2) во всех экспериментах с увеличением числа оборотов средний размер кристаллов увеличивается, что свидетельствует о росте кристалла, происходящем в диффузионной области; 3) во всех экспериментах с меньшей скоростью охлаждения ( расходом охлаждающей воды) функция распределения кристаллов по размерам двугорбая, что свидетельствует о наличии вторичного зародышеобразования. Из рассмотрения кристаллов квасцов под микроскопом МБИ следовало, что они не дробятся и не агрегируют. Наличие не очень сильного второго горба в функции распределения и отсутствие явлений явного дробления свидетельствует в пользу гипотезы вторичного зародышеобразования путем истирания кристаллов несущей фазы; 4) почти во всех экспериментах с большей скоростью охлаждения функция распределения с одним горбом. Увеличение данного микроскопа недостаточно для фиксирования этих вторичных центров. [48]
На основании этого можно заключить, что исходный зародыш неправильной формы ( показанный на рис. 5.9) растет, приобретая гладкую на молекулярном уровне форму, быстрее, чем начинают расти новые слои в результате флуктуации. Вторичное зародышеобразование представляет собой медленный процесс, и поэтому должно определять скорость роста кристалла. [49]
Двойникование может рассматриваться как следствие вторичного зародышеобразования, подчиненного структурному контролю со стороны межслоевого катиона. Благоприятствует вторичному зародышеобразованию склонность фторфлогопитового расплава к переохлаждению. Более одной трети кристаллов, полученных из расплава, составляют двойники. В кристаллах фтор-флогопита, выращенных из расплавов, иногда встречается несколько микродвойников в пределах одной чистой пластины, что свидетельствует о существенном изменении условий роста в течение времени образования даже одного кристалла. [50]
Кроме соударений такого типа к образованию вторичных зародышей приводят и более мягкие контакты, не вызывающие появления заметных дефектов на поверхности кристаллов. Подобные виды вторичного зародышеобразования интересны тем, что скорость появления центров кристаллизации оказывается зависимой от пересыщения раствора. Такая зависимость, вообще говоря, исключает простое истирание кристаллов как причину появления новых зародышей. [51]