Вторичное зародышеобразование

Cтраница 3

Схематическое изображение изменения концентрации примеси в прилегающем к поверхности кристалла слое раствора. [31]

Если поверхность кристалла чиста и достаточно хорошо сформирована, первые два вида вторичного зародышеобразования исключаются. Однако и такие затравочные кристаллы инициируют появление вторичных зародышей. Механизм явления пока недостаточно ясен. Есть по крайней мере два варианта объяснения сути вторичного зародышеобразования в последнем случае. Один из них связан с действием растворимых примесей, а другой с изменением структуры раствора на границе раздела фаз. [32]

Практические рекомендации по режиму охлаждения парафинового дистиллята обеспечивают выращивание крупных кристаллов парафина и исключают вторичное зародышеобразование. [33]

Отсутствие полного количественного совпадения экспериментальных и теоретических данных указывает на чрезмерное упрощение классического подхода ко вторичному зародышеобразованию. Возможно даже, что в некоторых случаях образование вторичных зародышей не является необходимым вследствие значительного отклонения в микроскопическом масштабе формы растущего кристалла от идеальной равновесной формы ( разд. [34]

Наблюдаемый температурный коэффициент скорости роста сфе-ролитов в полимерах дает основание полагать, что процесс роста включает вторичное зародышеобразование 63 90 91 235 236, которое, вполне возможно, является двухмерным. [35]

Диаграмма линейной устойчивости для модели зародышеобразования, зависящего от числа кристаллов, в терминах гомогенного кинетического параметра g и вторичного кинетического параметра р.| Диаграмма линейной устойчивости для модели зародышеобразования, зависящего от дробления, истирания кристаллов, в терминах гомогенного кинетического параметра и и вторичного кинетического параметра. [36]

На рис. 4.5 отмечены границы устойчивости стационарного состояния механизма зародышеобразования, определяемого соотношением (4.26), когда скорость вторичного зародышеобразования определяется дроблением, истиранием кристаллов. Заштрихованная область параметров / и и характеризует зону устойчивости. [37]

Из задач, решение которых связано с кристаллизацией, отметим отыскание оптимальных вариантов создания пересыщения, выяснение возможностей вторичного зародышеобразования и регулирование этого процесса, дальнейшее изучение кинетики кристаллизации и зависимости физико-химических характеристик продукта от условий проведения процесса и присутствия в системе тех или иных примесей. Представляют также большой интерес вопросы соосаждения примесей с кристаллами сахарозы. Кстати сказать, соосаждение примесей с кристаллами органических веществ пока еще почти совсем не изучено. [38]

Так, на рис. 4.4 указаны границы устойчивости для механизма зародышеобразования, описываемого соотношением (4.27), когда скорость вторичного зародышеобразования зависит от частоты столкновений кристаллов. [39]

То же будет наблюдаться при увеличении степени перехода примеси из раствора в кристалл с ростом Т, если механизм вторичного зародышеобразования определяется градиентом примеси в приповерхностном слое раствора. [40]

Когда Ду становится равным нулю, действие подложки напоминает действие самого кристалла, и уравнения ( 47) и ( 48) описывают вторичное зародышеобразование [ см. разд. [41]

На основании современной теории сделан вывод, что вторичное зародышеобразование не идет по какому-то единственному механизму, а могут иметь место различные виды вторичного зародышеобразования, соответствующие различным пересыщениям, концентрациям примесей и гидродинамическим условиям. Предполагается [34-36] существование двух видов вторичного зародышеобразования из растворов и газов: бесконтактное и контактное. [42]

Длины складок в кристаллах, выращенных из расплавов, как показано на рис. 3.13 для полиэтилена, отличаются от теоретически вычисленных по теории вторичного зародышеобразования даже при низких степенях переохлаждения. ДГ значительно быстрее, чем предсказывает теория. Существуют доказательства, что причина этого в перестройке складок с увеличением их длины после первичной кристаллизации. В некоторых полимерах в результате такого вторичного растяжения складок образуются кристаллы из вытянутых цепей ( разд. [43]

В настоящей работе из всех видов контактного зародышеобра-зования остановимся более подробно на зародышеобразовании за счет соударений кристалл - кристалл, так как этот вид вторичного зародышеобразования присущ почти всем отечественным и зарубежным кристаллизаторам. [44]

Как было отмечено ранее, ламеллярная форма сферолита одна из наиболее распространенных, и вывод Гоффмана и Лауритцена свидетельствует о том, что образование складок - это обычный механизм кристаллизации в блоке, и вторичное зародышеобразование оказывается двухмерным. При низких значениях ДГ второй член в формуле ( 14) или ( 15) является преобладающим. [45]

Страницы: 1 2 3 4