Cтраница 1
![]() |
Зависимость химического. [1] |
Гомогенное зародышеобразование наблюдается только тогда, когда в системе нет поверхностей, на которых может с достаточной скоростью происходить образование и рост зародышей новой фазы. [2]
Гомогенное зародышеобразование твердой фазы происходит, когда зародыш ее свободно образуется в объеме охлаждаемой жидкости. [3]
![]() |
Зависимости энергии образования Гиб-бса зародышей капель воды при различных степенях пересыщения водяного пара при 25 С. [4] |
Рассмотрим гомогенное зародышеобразование в чистом водяном паре при 25 С. Видно, что при пересыщении, равном 8 1, критический зародыш радиусом 0 5 нм состоит из 18 молекул воды. [5]
Рассмотренное выше гомогенное зародышеобразование наблюдается только тогда, когда в системе нет поверхностей, на которых может с достаточной скоростью происходить образование и рост зародышей новой фазы. [6]
![]() |
Зависимость числа центров. [7] |
Скорость гомогенного зародышеобразования, пропорциональная вероятности появления устойчивого зародыша, выводится с помощью методов статистической механики. При этом исходят из того, что скорость образования зародышей определяется числом зародышей критического размера, возникающих в единице объема, и скоростью, с которой атомы или молекулы присоединяются к этому зародышу. [8]
Чем отличается гомогенное зародышеобразование от гетерогенного. [9]
Зависимость скорости гомогенного зародышеобразования oi температуры имеет тот же вид, что и зависимость скорости роста кристаллов ( рис. 18.5), но вся кривая несколько смещена в сторону более низких температур. Существуют две причины такого смещения. При малом переохлаждении, KOI да суммарное понижение свободной энергии при кристаллизации невелико, зародыши нестабильны и повторно растворяются в жидкости из-за относительно высокой поверхностной свободной энергии. Поэтому при температурах муть ниже точки плавления стабильными будут лишь очень большие гомогенные зародыши, у которых поверхностная свободная энергия почти равна пулю. Альтернативная, хотя и близкая по смыслу точка зрения о причинах смещения максимума скорости зародышсобразовапия в область более пизких температур сводится к тому, что небольшие зародыши имеют более низкую температуру плавления, чем большие зародыши, и, следовательно, лишь последние могут устойчиво существовать вблизи Тпл. [10]
Фольмера для гомогенного зародышеобразования не учитывается вторичное заро-дышеобразование. [11]
Лазерный нагрев обеспечивает контролируемое гомогенное зародышеобразование и исключает возможность загрязнения. Размер нанокристаллических частиц уменьшается с ростом интенсивности ( мощности, отнесенной к единице площади) лазерного излучения благодаря повышению температуры и скорости нагрева газов-реагентов. Авторы [41] получили этим методом из газовой смеси силана S1H4 и аммиака NHs нитрид кремния SisN4 с размером частиц 10 - 20 нм. [12]
Следует отметить, что гомогенное зародышеобразование практически невозможно наблюдать в чистом виде. В жидкости всегда имеются посторонние частицы, приводящие к гетерогенному механизму образования центров кристаллизации. [13]
Уравнение (19.9) справедливо для гомогенного зародышеобразования. В основном преобладает гетерогенное зародышеобразование и происходит на поверхностях газовых включений, посторонних веществах, границах раздела фаз. Гетерогенное зародышеобразование энергетически более благоприятно. [14]
![]() |
Скорости свободной поверхности в опытах с глицерином. [15] |