Гомогенное зародышеобразование

Cтраница 2

Таким образом, модель гомогенного зародышеобразования объясняет экспериментально обнаруженную различную зависимость прочности гексана и глицерина от скорости деформирования. Это следствие того, что начальная температура глицерина совпадает с точкой замерзания, в окрестности которой ярко проявляются релаксационные свойства среды, причем время релаксации сопоставимо с характерным временем растяжения, реализующимся в проведенных экспериментах. [16]

Примечательно, что в случае трехмерного гомогенного зародышеобразования, согласно соотношению ( VIII. В соответствии с приведенными ранее соображениями это означает, что смена нуклеа-ционного механизма кристаллизации диффузионным при гомогенном зародышеобразовании происходит при более низких температурах, чем в случае поверхностного зародышеобразования. [17]

Расплавы полупроводник - металл при отсутствии гомогенного зародышеобразования способны к значительным переохлаждениям. Например, в случае использования в качестве растворителей элементов III группы периодической системы расплавы полупроводник - металл могут быть переохлаждены до 25 С относительно равновесной температуры. Вероятность гомогенного зародышеобразования возрастает с увеличением пересыщения, с ростом объема расплава, определяемого для единичной поверхности подложки его толщиной и временем пребывания в пересыщенном состоянии. Поэтому использование малых интервалов температуры кристаллизации А71 и увеличение скорости охлаждения расплава R, С / ч, сокращают время пребывания его в переохлажденном состоянии. [18]

Ниже рассмотрена теория всех четырех типов гомогенного зародышеобразования. Многие положения этой теории будут полезны впоследствии при рассмотрении вторичного зародышеобразования, молекулярного зародышеобразования и роста кристаллов. [19]

Зависимость между диаметром капель воды и минимальной температурой их замерзания. [20]

Изокинетическая кривая позволяет приблизительно оценить условия гомогенного зародышеобразования. [21]

Зависимость толщины эпитаксиального слоя GaAs от продолжительности процесса осаждения, рассчитанная по уравнениям ( /, ( 2, ( 3 при D. ( As 4 10 - 5 см2 / с. экспериментальные точки соответствуют результатам, полученным при кристаллизации переохлажденного расплава при Г0800 С, Д0 - 5 С и К36 С / ч.| Зависимость толщины эпитаксиального слоя GaP от продолжительности осаждения при 7 640 С. Д 7 5 С. [22]

На величину параметра эффективности существенное влияние оказывает гомогенное зародышеобразование, приводящее к образованию на поверхности расплава корки закристаллизованного полупроводника. На ней кристаллизация происходит одновременно с кристаллизацией на подложке. [23]

Для перекисных и радиационных вулканизатов характерно скорее всего гомогенное зародышеобразование и, следовательно, еще меньшее число действующих зародышей, чем, например, в тиурамных вулканизатах. [24]

Эта зависимость отличается от выражения для работы гомогенного зародышеобразования наличием множителя со скобками. Наличие этого множителя приводит к тому, что энергетический барьер образования зародышей на контактной поверхности оказывается меньше, чем при гомогенном образовании зародышей. Если угол смачивания будет равен, например 60, энергетический барьер составит лишь около / б энергии гомогенного зародышеобразования; если контактный угол равен нулю, системе вообще не приходится преодолевать какой-либо энергетический барьер. [25]

При больших значениях / величина F уменьшается вследствие гомогенного зародышеобразования, приводящего к осаждению части растворенного вещества вне подложки. Отсюда следует, что при малых значениях толщины расплава / и времени процесса т кинетические ограничения уменьшаются и толщина растущего эпитаксиального слоя h может быть с достаточной точностью рассчитана по уравнению (6.386), т.е. как для слоя, растущего в равновесных условиях. [26]

Зависимость константы скорости зародышеобразования от абсолютной температуры для карбамида. [27]

Приведенные выше уравнения ( III.21 - II 1.24) относятся к гомогенному зародышеобразованию. Естественно и гетерогенное, и вторичное зародышеобразование тоже зависят от температуры. Здесь нет четкого математического описания функции N f ( Т), но в общих чертах рост температуры должен приводить к увеличению скорости образования зародышей, если она определяется явлениями, обусловленными химическим взаимодействием. [28]

Рассчитанные по уравнению ( б зависимости критической скорости охлаждения от толщины слоя расплава I для AT jjr, равной 10 ( /, 15 ( 2 и 20 С ( 3. [29]

Это приводит к длительному пребыванию расплава в переохлажденном состоянии, что увеличивает вероятность гомогенного зародышеобразования. [30]

Страницы: 1 2 3 4 5