Cтраница 1
Инжектированный заряд изменяет диэлектрические свойства диэлектрика. [1]
Инжектированные заряды при хранении перемещаются в объеме электрета. Это перемещение может идти по-разному, в зависимости от того, куда попали носители. Если носители заряда попадают в мелкие ловушки, то они могут перемещаться в объеме в поле электрета в результате диффузии. [2]
Инжектированный заряд изменяет диэлектрические свойства диэлектрика. [3]
Инжектированные заряды при хранении перемещаются в объеме электрета вследствие диффузии Скорость их перемещения зависит от того, в какие ловушки попали заряды1 естн в пубокие, то вероятность перемещения мала, а уменьшение 0) ф во времени происходит за счет собственных носителей зарядов электрета. [4]
Концентрация инжектированных зарядов определяется общей емкостью системы. [5]
Если образец имеет только инжектированный заряд ( Ро0), то при нагревании с бесконтактными электродами, когда температура разрядки гомозаряда выше температуры образования гетерозаряда, в поле гомозаряда происходит поляризация. В результате можно наблюдать токи поляризации гетерозаряда и разрядки гомозаряда, которые оказываются направлены в одну и ту же сторону. [6]
Запишем выражение для полного инжектированного заряда, учитывая, что он складывается в общем случае из заряда дырок, инжектированных в n - область, и электронов, инжектированных в р-облзсть. [7]
Запишем выражение для полного инжектированного заряда, учитывая, что он складывается в общем случае из заряда дырок, инжектированных в - область, и электронов, инжектированных в р-область. [8]
Запишем выражение для полного инжектированного заряда, учитывая, что он складывается в общем случае из заряда дырок, инжектированных в п - область, и электронов, инжектированных в / э-область. [9]
При развитии лавины в поле инжектированного заряда величина М в рассматриваемом рабочем режиме диодов из Ge при Г 293К может достигать нескольких единиц. [10]
Эксперименты показали [126], что релаксация инжектированного заряда ( р-максимум на термограммах ЭТА) наблюдается в частично кристаллических полимерах, таких как ПЭТФ, ПВДФ и ПХТФЭ, в областях ас-релаксации. Глубина ловушек определяется молекулярной подвижностью, связанной с движением петель и концевых групп макромолекул на поверхности граней и ребер кристаллитов [ 123, с. Одним, возможно основным, из процессов захвата носителей зарядов при образовании гомозаряда в частично кристаллических полимерах является захват электронов на границах раздела фаз ( аморфной и кристаллической) вблизи поверхности полимера. Затормаживаясь на границе раздела из-за разной плотности ( и проводимости) фаз, электрон поляризует близлежащие полярные группы, причем ориентация диполей сопровождается изменением конформации участков цепей. Таким образом, электрон создает ловушку, в которой он может находиться длительное время, например, пока полимер не нагреют до температуры, при которой начинается интенсивное молекулярное движение на поверхности кристаллитов, при этом и происходит релаксация инжектированного ( гомо) заряда. Кто является носителем заряда - электрон или ион, остается пока неясным. [11]
JdU с Сдиф дает возможность найти и способ выражения эффективного инжектированного заряда через полный заряд инжектированных носителей. [12]
В § 2 было сделано предположение о том, что инжектированный заряд равномерно распределен в пространстве между катодом и анодом. Теперь мы покажем, что это предположение выполняется тем лучше, чем круче вольтамперная характеристика. [13]
Поле Е будет существовать так долго, как долго сохраняется инжектированный заряд. В поле Е ориентируются диполи полимера. ПВДФ в комнатных условиях находится в высокоэластическом состоянии, поскольку его температура стеклования ниже комнатной, - 40н - 50 С. [14]
Изменение конформации цепей макромолекул в области, где происходит накопление инжектированных зарядов, свидетельствует о более глубоких процессах, требующих больших энергий, чем упругая ориентация диполей. Ориентация нескольких близлежащих диполей - полярных групп, сопровождающаяся изменением конформации цепей, приводит к образованию глубокой ловушки, покинуть которую носитель заряда может, лишь преодолев значительный энергетический барьер, складывающийся из суммы барьеров конформационных изменений всех участков цепей, участвующих в образовании ловушки. [15]