Инжектированный заряд

Cтраница 4

Структура однопереходного транзистора и его эквивалентная схема показаны на рис. 4.59. Область эмиттера ( область с электропроводностью р-типа) должна быть легирована сильнее, чем область базы ( область с электропроводностью n - типа), для того, чтобы при прямом включении эмиттерного перехода прямой ток через него имел в основном лишь дырочную составляющую. В этом случае из-за инжекции неосновных носителей заряда в базу транзистора и из-за накопления основных носителей, которые входят в базу через один из невыпрямляющих контактов к базе для компенсации инжектированного заряда неосновных носителей, будет происходить уменьшение сопротивления базы ( модуляция) и увеличение тока между невыпрямляющими контактами к базе или тока в цепи нагрузки. [46]

Структура однопереходного транзистора и его эквивалентная схема показаны на рис. 4.55. Область эмиттера ( область с электропроводностью р-типа) должна быть легирована сильнее, чем область базы ( область с электропроводностью л-типа), для того чтобы при прямом включении эмиттерного перехода прямой ток через него имел в основном лишь дырочную составляющую. В этом случае из-за инжекции неосновных носителей заряда в базу транзистора и из-за накопления основных носителей, которые входят в базу через один из невыпрямляющих контактов к базе для компенсации инжектированного заряда неосновных носителей, будет происходить уменьшение сопротивления базы ( модуляция) и увеличение тока между невыпрямляющими контактами к базе или тока в цепи нагрузки. [47]

Структура однопереходного транзистора и его эквивалентная схема показаны на рис. 4.55. Область эмиттера ( область с электропроводностью / 7-типа) должна быть легирована сильнее, чем область базы ( область с электропроводностью n - типа), для того чтобы при прямом включении эмиттерного перехода прямой ток через него имел в основном лишь дырочную составляющую. В этом случае из-за инжекции неосновных носителей заряда в базу транзистора и из-за накопления основных носителей, которые входят в базу через один из невыпрямляющих контактов к базе для компенсации инжектированного заряда неосновных носителей, будет происходить уменьшение сопротивления базы ( модуляция) и увеличение тока между невыпрямляющими контактами к базе или тока в цепи нагрузки. [48]

Иллюстрация явления протекания. Темные кружки - алюминиевые шарики, светлые кружки - стеклянные шарики. С увеличением числа алюминиевых шариков при некоторых конфигурациях наблюдается протекание тока через сосуд.| Зависимость вероятности протекания Р ( и проводимости а ( 2 системы, показанной на, от концентрации р шариков А1. рс - порог протекания. [49]

Одним из следствий существования кластеров, состоящих из проводящих узлов, отделенных друг от друга непроводящими областями, должно быть появление заметной проводимости на переменном токе, в то время как стационарная проводимость может быть чрезвычайно низка. Это связано с тем, что переменное электрическое поле может заставить носитель, находящийся внутри кластера, осциллировать в нем, в результате чего все то время, которое этот носитель участвует в проводимости, он находится в хорошо проводящей области. Кроме того, при прохождении через твердое тело импульсного тока значительная часть полного инжектированного заряда может в течение малого начального интервала времени перемещаться внутри кластеров с подвижностью, характерной для чистого проводника. Процесс такого типа будет кратко описан ниже. [50]

Страницы: 1 2 3 4