Инжектированный заряд

Cтраница 3

Таким образом, при отрицательной полярности А1 - электрода инжекция электронов позволяет увеличивать пороговое напряжение МДП-транзистора на величину до 1 В, а с возрастанием концентрации фосфора в пленке ФСС уменьшается требуемая величина инжектированного заряда для одного и того же изменения зарядового состояния МДП-структуры. [31]

Изменение заряда в р-п-переходе может быть вызвано также изменением концентрации инжектированных неравновесных носителей заряда в базе при прямом смещении р-и-пе-рехода. Отношение приращения инжектированного заряда к приращению прямого напряжения определяет диффузионную емкость p - n - перехода: Сд ф SQU. Диффузионная емкость превышает барьерную при прямом смещении p - n - перехода, однако она незначительна при обратном смещении. [32]

Здесь абсолютная величина отношения взята для того, чтобы не возникала путаница из-за правила знаков для напряжения, а также из-за того, что инжектированный заряд может быть как положительным, так и отрицательным. Эффективное значение инжектированного заряда следует брать потому, что из-за распределенного характера этого заряда он не весь одинаково участвует в образовании емкости. Поэтому приходится проводить какое-то усреднение. [33]

Здесь абсолютное значение отношения взято для того, чтобы не возникала путаница из-за правила знаков для напряжения, а также из-за того, что инжектированный заряд может быть как положительным, так и отрицательным. Эффективное значение инжектированного заряда следует брать потому, что из-за распределенного характера этого заряда он не весь одинаково участвует в образовании емкости. Поэтому приходится проводить какое-то усреднение. [34]

Величина ур называется коэффициентом инжекции. Это означает, что полный инжектированный заряд почти целиком образуется дырочной составляющей тока. [35]

Для того, чтобы пространственный заряд не изменял значительно напряженность электрического поля внутри кристалла, концентрации зарядов, рожденных светом, должны быть достаточно малы. Это требование будет выполняться до тех пор, пока инжектированный заряд Qi будет значительно меньше величины Cs UA, где Cs - емкость образца. Передний фронт импульса тока может уширяться из-за взаимного отталкивания носителей в слое. С другой стороны, заряд Qt должен быть достаточно большим для того, чтобы можно было однозначно зарегистрировать сигнал. Ne показан на рис. 6.5.8; регистрация этого дрейфа осуществляется путем измерения изменения падения напряжения на сопротивлении R. Как можно видеть из рисунка, электрические поля FJ и F2 по разные стороны слоя не одинаковы. Эти поля можно легко рассчитать. [36]

Пуассона [2.7.1.70] в применении к случаю монополярной инжекции. Поскольку п n ( U, x), инжектированный заряд обеспечивает наличие градиента напряженности поля; следовательно, исключается возможность обращения величины F в нуль на большей части кристалла, и это означает, что напряжение U, связанное с током J, не бесконечно мало. В случае двойной инжекции рекомбинация носителей заряда вызывает исчезновение плотности заряда, и это является причиной падения напряжения; дивергенция плотности тока не равна нулю, и, поскольку электронный / и дырочный Jp токи пропорциональны F, дивергенция поля также отлична от нуля. Таким образом, рекомбинация носителей заряда выполняет роль, аналогичную роли объемного заряда, - обеспечивает сохранение напряженности поля F и тем самым создает конечную разность потенциалов для поддержания тока. [37]

Топология участка активной матрицы.| Поперечное сечение запоминающего транзистора с плавающим затвором. [38]

Возможно создание активной матрицы и для индикаторов с внутренней памятью. Этот затвор представляет собой изолированный металлический слой который локализует инжектированный заряд. [39]

Зависимости приращения напряжения середины зоны от величины инжектированного заряда. [40]

Поскольку центроид отрицательного заряда, накапливаемого в пленке ФСС, находится дальше дистанции туннелирования, то при инжек-ции электронов из кремния он оказывает практически одинаковое влияние на сдвиги t VMG и AFj. При инжекции электронов из алюминия зависимости & VMG и AF7 от инжектированного заряда имеют тот же характер, что аналогичные кривые на рис. 2.12, хотя абсолютные значения A V [ почти на порядок превосходят абсолютные значения A VMG, что связано с аналогичным отношением приведенных значений отрицательного заряда к инжектирующей и Si - SiO2 границам раздела, соответственно. [41]

Так, глубины центра распределения заряда в полимерных пленках составляют от 0 8 до 5 мкм [ 3, с. Современные теоретические представления об инжекции также не могут дать ответа на вопрос о причинах сосредоточения инжектированного заряда на глубине 0 5 - 5 мкм, о причинах дрейфа заряда на это расстояние после его нанесения на поверхность. Эти результаты можно понять только на основе представления о повышенной проводимости приповерхностных слоев полимерной пленки yi по сравнению с проводимостью внутреннего слоя у2 - При этом предположении естественным образом объясняется отмеченное выше проникновение зарядов на глубину 0 5 - 5 мкм в полимерную пленку даже в том случае, когда исходной энергии заряженных частиц, попадающих на поверхность пленки, было явно недостаточно для такого проникновения. [42]

В полях высокой напряженности происходит также инжек-ция носителей зарядов ( электронов, дырок), к-рые образуют поверхностные заряды со знаком, противоположным знаку поляризационного заряда. Эффективная поверхностная плотность зарядов составляет а фф а / - Р, где а / - инжектированный заряд. [43]

При т тп в случае идеального диэлектрика значения плотности тока слабо изменяются со временем, а значения инжектированного заряда и емкости остаются постоянными. [44]

Инжекция носителей из соответствующим образом выбранного электрода - удобный и широко используемый метод создания концентрации подвижных носителей в органических соединениях ( см. гл. Исследование инжекционного процесса с временным разрешением, которое позволяет выявить микроскопические детали этого процесса, облегчается тем, что константа скорости рекомбинации инжектированного заряда с электродом может быть сделана произвольно малой при использовании в качестве инжектирующего электрода электролита. [45]

Страницы: 1 2 3 4