Проектирование - топология
Cтраница 2
Таким образом, проектирование топологии БИС производится последовательным выполнением этапов 1 - 4, причем по мере необходимости с последнего этапа может осуществляться возврат на второй этап. [16]
На основании результатов проектирования топологии БИС дал ее формируют исходные данные для автоматических графопостроителей ( координатографов), с помощью которых получают конструкторскую документацию в виде соответствующих чертежей топологии. Преобразование этой чертежной информации в цифровые данные позволяет в конечном счете изготовить фотошаблоны БИС на специальных установках. [17]
При решении различных задач проектирования топологии необходимо указанный метод перехода несколько видоизменять с целью учета особенностей алгоритмов данного этапа. [18]
 |
Фрагмент входного дифференциального каскада на МДП-транзисторах с индуцированным каналом / - типа. [19] |
Одной из важных задач проектирования топологии интегральных микросхем является минимизация тепловой обратной связи в кристалле. Интегральные транзисторы дифференциальных пар, особенно входного каскада, стремятся располагать на одинаковых изотермах теплового поля, создаваемого мощными выходными каскадами. Иногда для уменьшения температурного дрейфа входных параметров, характеризующих электрический разбаланс, дополнительно включают транзисторы с перекрестным расположением в кристалле. При использовании на входе ОУ МДП-транзисторов применяют специальную топологию транзисторов, улучшающую их идентичность. На рис. 1.14 показан фрагмент входного дифференциального каскада ОУ С A3160 с защитными диодами. [20]
Трудности формализации и алгоритмизации процесса проектирования топологии БИС обусловливают целесообразность интерактивного режима разработки микросхемы, основанного на рациональном разделении функций между инженером и ЭВМ. [21]
Основными достоинствами использования ЭВМ при проектировании топологии микросхем и микросборок являются: сокращение сроков проектирования, снижение стоимости, повышение качества за счет снижения вероятности ошибок проектирования и предварительного моделирования характеристик до их изготовления. [22]
К этой же задаче приводится задача проектирования топологии БИС на основе библиотечного набора элементов. [23]
Каждый из этих принципов следует соблюдать при проектировании топологии гибридных ИМС для изготовления как по тонкопленочной, так и по толстопленочной технологии. [24]
Каждый из этих принципов необходимо соблюдать при проектировании топологии гибридных ИМС для изготовления как по тонкопленочной, так и по толстопленочной технологии. [25]
Для повышения процента выхода годных схем в процессе проектирования топологии БИС необходимо не только решить указанные задачи при предельно высокой плотности упаковки микроэлементов на кристалле, но также учесть появление паразитных элементов, оказывающих влияние на электрические характеристики БИС. [26]
Хотя конструкция базового кристалла допускает достаточное число степеней свободы при проектировании топологии БИС, общее количество различных сочетаний микроэлементов и условий их размещения оказывается настолько большим, что практически удовлетворить их не представляется возможным. [27]
Применение рассмотренных алгоритмов для размещения элементов и трассировки позволяет решать задачу автоматизации проектирования топологии БИС с учетом различных критериев оптимизации. [28]
На автоматизированном рабочем месте разработчика интегральных микросхем, например, выполняются функции проектирования топологии изделий без предварительного изготовления чертежей и подготовки информации для программно-управляемого специального технологического оборудования, предназначенного для производства изделий электронной техники. [29]
В последнее время разработаны методы оптимального разбиения систем на отдельные БИС, автоматизации проектирования топологии БИС, уменьшения длины межэлементных соединений и сокращения числа пересечений, оптимального размещения функциональных элементов на кристалле. [30]
Страницы: 1 2 3 4