Проектирование - топология
Cтраница 4
Каждая гибридная ИМС должна иметь ключ - увеличенную контактную площадку или специальный знак, расположенный в нижнем левом углу на большей стороне подложки; ключ вычерчивают в процессе проектирования топологии. [46]
Каждая гибридная ИМС должна иметь ключ - увеличенную контактную площадку или специальный знак, расположенный в нижнем левом углу на большей стороне платы; ключ вычерчивают в процессе проектирования топологии. [47]
 |
Структура программно-информационного обеспечения САПР топологии БИС. [48] |
Одним из направлений повышения эффективности и сокращения сроков разработки математического обеспечения САПР топологии БИС, удобства корректировки программ с целью адаптации к изменяющемуся процессу проектирования является создание библиотеки стандартных программ проектирования топологии. [49]
 |
Этапы проектирования БИС и подсистемы САПР. [50] |
Так, разработка САПР полупроводниковых БИС основана на использовании высокопроизводительных ЭВМ для решения задач проектирования БИС, таких, как логическое моделирование, расчет и оптимизация параметров активных элементов и электрических схем, статистический анализ и другие, и создании интерактивных графических мини-систем проектирования топологии и управления программно-управляемым оборудованием для изготовления фотооригиналов и фотошаблонов. [51]
Числовые оценки нестабильности логического перепада напряжения в многоуровневых схемах с различными вариантами ИПТ, работающими в одинаковых условиях ( равенство рабочих токов, напряжений питания и мощности рассеяния цепи смещения), позволяют характеризовать чувствительность схемы ИПТ к изменениям технологических и эксплуатационных параметров и тем самым сформулировать требование на технологические допуски и рекомендации по проектированию топологии ИС. [52]
Таким образом, для уменьшения паразитной связи через подложку необходимо: совершенствовать технологию получения материала для полуизолирующих подложек с целью более точной компенсации примесей и уменьшения концентрации дефектов, приводящих к образованию отрицательных ионов в области 4 ( см. рис. 5.6); уменьшать амплитуду изменения напряжения на электродах элементов микросхемы, например, за счет снижения напряжения питания; использовать элементы, менее чувствительные к влиянию бокового затвора; выбирать достаточно большие расстояния между критическими электродами соседних элементов при проектировании топологии микросхемы. [53]
Библиотека стандартных ячеек содержится в базе данных САПР. При проектировании топологий БИС осуществляется компоновка стандартных ячеек на поле кристалла и трассировка межфрагментных электрических соединений в каналах между ячейками. [54]
Библиотека стандартных ячеек содержится в базе данных САПР. При проектировании топологий БИС осуществляется компоновка стандартных ячеек на поле кристалла. [55]
Страницы: 1 2 3 4