Ионный проектор

Cтраница 4

Еще более глубокое проникновение в атомистические подробности взаимодействия ксенона с вольфрамом уже невозможно; связь настолько слабее, что наблюдения в ионном проекторе, по-видимому, неосуществимы. Однако распространение метода флэш-десорбции на кристаллы с монокристаллическим характером поверхности и проведение опытов в более широком интервале температур должны были бы дать однозначный ответ на вопрос об эффективности конденсации. [46]

Хотя адсорбция и подвергается сильному воздействию при возникновении ионного изображения и опыты следует проводить и интерпретировать с большой осторожностью, все же ионный проектор позволяет получить важную информацию о разнообразных адсорбированных веществах. Кроме того, предварительные данные, полученные в лаборатории автора, показывают, что, уменьшая требуемый для получения изображения ток в 103 раз, можно подавить побочные реакции, встречающиеся даже в случае водорода. Поэтому более четкие ионные изображения должны в ближайшем будущем привести к расширению использования этого проектора. [47]

Стягивание электронов в узкий пучок и образование изображения в иммерсионном объективе ( катодной линзе. [48]

Увеличение разрешающей способности ионного проектора по сравнению с электронным объясняется, кроме уже упомянутого уменьшения скоростей, также и тем, что в ионном проекторе можно увеличить ускоряющее напряжение, не боясь очень большого роста плотности тока на острие, кроме того, уменьшается влияние дифракции дебройлевскпх волн на острие, так как ионные но. [49]

Диаметр кружка рассеяния на объекте в одном случае 25 А, а в другом 2 - J-4 А: этим и объясняется большая резкость изображения в ионном проекторе. [50]

Степень, с которой десорбция под влиянием поля действует на адсорбент, изменяется в зависимости от природы адсорбированного газа, и каждую конкретную систему следует изучать в ионном проекторе, чтобы определить энергии связи. [51]

За последние десять лет данные об истинной структуре активных центров поверхности твердого тела были получены непосредственно с помощью таких методов, как, например, электронная микроскопия на просвет и электронно-микроскопические реплики [84], ионный проектор [84, 85] и электронный микроанализ в пучке [84] ( см. гл. Соответственно возрастает уверенность, что в настоящее время можно получить более полное физическое представление о неоднородной поверхности твердого тела. К числу участков поверхности, на которых теплота хемосорбции, по-видимому, должна отличаться от теплоты хемосорбции на ровных участках, кроме перечисленных Тейлором и Констеблем, относятся следующие: 1) участки, где появляются винтовая и краевая дислокации, двойниковые границы и деформированные плоскости; 2) нарушения структуры типа дефектов Френкеля и Шоттки, находившиеся во внешних слоях твердого тела, и 3) включения металлических и неметаллических примесей, встречающиеся как отдельно, так и в виде скоплений. Подобные нарушения структуры рассматриваются в гл. [52]

Как отмечалось в разделе III, А, 1, это поле смещает плоскость изображения; вследствие высокой плотности электронов проводимости в металле такое смещение должно быть невелико даже в полях, необходимых для ионного проектора. [53]

При низких температурах конденсации ( Тк; 195 К для серебра, 414 К для цинка, 2960К для кадмия, 500 К для никеля, 353 К для золота, 300 К для меди) осаждение первых нескольких слоев ( 8 1 - 3) указанных металлов не сопровождается образованием видимых в ионном проекторе зародышей [14, 22, 24, 29, 30], и лишь с превышением некоторого значения 9 ( см. табл. 1.1) на этом слое образуются видимые зародыши, величина которых в момент появления на экране микроскопа приблизительно равна 20 А. [54]

Однако разрешающая способность может быть повышена еще на порядок величины, а кроме того, может быть много увеличена четкость изображения, если осуществить тот же принцип рассмотрения объектов, заменив электронный пучок на ионный. Устройство ионного проектора в принципе не отличается от схемы электронного проектора. На острие подается положительный потенциал и при больших полях ( 108 В / см) от острия могут отрываться ионы. [55]

Однако разрешающая способность может быть повышена еще на порядок величины, а кроме того, может быть много увеличена четкость изображения, если осуществить тот же принцип рассмотрения объектов, заменив электронный пучок на ионный. Устройство ионного проектора в принципе не отличается от схемы электронного проектора. На острие подается положительный потенциал и при больших полях ( 10s В / см) от острия могут отрываться ионы. [56]

В настоящее время основные положения молекулярно-кинети-ческой теории подтверждаются многочисленными опытами с использованием достижений современной экспериментальной техники. С помощью ионного проектора получают изображения кристаллов, по которым можно представить их строение. [57]

Страницы: 1 2 3 4