Нескомпенсированный заряд

Cтраница 1

Нескомпенсированные заряды образуются также и вследствие того, что часть электронов и дырок, попавших в смежную область, рекомбинирует, нарушая тем самым равновесие концентрации М Зжду свободными носителями заряда и неподвижными ионами при-мгси. В результате вблизи границы раздела областей создается двойной объемный слой пространственных зарядов, который называют р-п-переходом. Этот слой обеднен основными ( подвижными) носителями заряда в обеих частях, поэтому его удельное сопротивление велико по сравнению с областями р - и n - типов. Часто этот слой шоывают запирающим. Однако надо отметить, что концентрация подвижных носителей в p - n - переходе изменяется плавно и существенно обеднен подвижными носителями заряда только средний слой перехода, где их концентрация примерно на несколько порядков меньше. Поэтому обедненный, или запирающий, слой несколько уже р-к-перехода. [1]

Нескомпенсированные заряды, появляющиеся в результате поляризации диэлектрика, называют поляризационными или связанными. Последним термином хотят подчеркнуть, что свобода перемещения таких зарядов ограничена. Они могут смещаться лишь внутри электрически нейтральных молекул. [2]

Нескомпенсированные заряды распределены по поверхности проводника. [3]

Эти нескомпенсированные заряды, появляющиеся в результате поляризации диэлектрика, называются связанными. [4]

Эти нескомпенсированные заряды, появляющиеся в результате поляризации диэлектрика, называются свкшннымм. Так как их поверхностная плотность а меньше плотности а свободных зарядов плоскостей, то не все поле Е компенсируется полем зарядов диэлектрика: часть линий напряженности пройдет сквозь диэлектрик, другая же часть - обрывается на связанных зарядах. Следовательно, поляризация диэлектрика вызывает уменьшение в нем поля по сравнению с первоначальным внешним полем. [5]

Величину а0о - Осв называют поверхностной плотностью нескомпенсированных зарядов. [6]

Это обусловлено эффектом притяжения за счет увеличения нескомпенсированного заряда ядра и одновременным сокращением расстояния между ионами за счет поляризации многозарядных ионов в кристаллах. [7]

Если проводнику сообщить некоторый заряд Q, то нескомпенсированные заряды располагаются только на поверхности проводника. [8]

Если проводнику сообщить некоторый заряд Q, то нескомпенсированные заряды располагаются только на поверхности проводника. [9]

Перемещаясь в другую область, подвижные носители ославляют нескомпенсированный заряд ионизированных атомов примеси, связанных с кристаллической решеткой. [10]

Уходя в другую область, свободные носители оставляют нескомпенсированный заряд ионизованных атомов примеси, связанных с кристаллической решеткой. [11]

Образование в приповерхностной области полупроводника под влиянием заряда на поверхности обедненного ( а, инверсного ( б ч обогащенного ( в слоев. [12]

Заряд примесных атомов в припо-верхн Ъстной области оказывается нескомпенсированным зарядом подвижных носителей, он и определяет тип электропроводности в приповерхностной области полупроводника. [13]

Таким образом, при равновесии зарядов на проводнике весь нескомпенсированный заряд находится только на наружной поверхности проводника, а внутри проводника электрическое поле отсутствует. Это явление используют при создании электростатической защиты, сущность которой состоит в том, что для предохранения чувствительных приборов от влияния электрических полей их помещают в металлические заземленные корпуса или сетки. [14]

Однако, перемещаясь в другую область, подвижные носители составляют нескомпенсированный заряд ионизированных атомов примеси, связанных с кристаллической решеткой. При этом, когда электроны перемещаются из n - области, там остается положительный заряд ионизированных доноров, а когда перемещаются из р-области дырки, там остается отрицательный заряд ионизированных акцепторов. Распределение плотности указанных зарядов р показано на рис. 2.1, г. Таким образом, на границе областей образуются два слоя противоположных по знаку зарядов. Область образовавшихся пространственных зарядов представляет собой р-и-переход. Его толщина обычно не превышает десятых долей микрона. Между п - и р-областью устанавливается разность потенциалов UKH, которая называется контактной. [15]

Страницы: 1 2 3 4