Нескомпенсированный заряд
Cтраница 4
Поэтому в базовой области остается пренебрежимо малое поле. Нескомпенсированные заряды существуют только у краев базовой области, обус-ловливая емкость слоев объемного заряда. В результате некоторые из этих электронов, движущихся от перехода / 2, компенсируют некоторое число донорных примесей, которые лишились своих электронов при образовании внутреннего контактного потенциала у перехода / 1 благодаря диффузии. [46]
Остается принять, что нейтрализация заряда оказывается неполной - избыточная концентрация основных носителей около р-я-перехода остается несколько меньшей избыточной концентрации неосновных носителей. Возникающая из-за нескомпенсированного заряда напряженность электрического поля поддерживает неравномерное распределение основных носителей заряда в базе. [47]
Остается принять, что нейтрализация заряда оказывается неполной - избыточная концентрация основных носителей около электронно-дырочного перехода остается несколько меньшей избыточной концентрации неосновных носителей. Возникающая из-за нескомпенсированного заряда напряженность электрического поля поддерживает неравномерное распределение основных носителей в базе. [48]
Остается принять, что нейтрализация заряда оказывается неполной - избыточная концентрация основных носителей около р-я-перехода остается несколько меньшей избыточной концентрации неосновных носителей. Возникающая из-за нескомпенсированного заряда напряженность электрического поля поддерживает неравномерное распределение основных носителей заряда в базе. [49]
 |
Схематическое изображение процессов диэлектрической релаксации в примесном ( дырочном полупроводнике. [50] |
Заметим, что нейтрализация в принципе не может быть полной, иначе нельзя было бы объяснить наличие градиента концентрации дырок между рассматриваемым объемом и основной частью кристалла. В действительности остается небольшой нескомпенсированный заряд электронов, поле которого и поддерживает градиент концентрации дырок. Именно неполной компенсацией заряда объясняется термин квазмнейтральность. Электрическое поле, обусловленное неполной компенсацией заряда, будем называть остаточным. [51]
 |
Схематическое изображение процессов диэлектрической релаксации в примесном ( дырочном полупроводнике. [52] |
Заметим, что нейтрализация в принципе не может быть полной, иначе нельзя было бы объяснить наличие градиента концентрации дырок между рассматриваемым объемом и основной частью кристалла. В действительности остается небольшой нескомпенсированный заряд электронов, поле которого и поддерживает градиент кои-центрацш. Именно неполной компенсацией заряда объясняется термин квази-нейтральность. [53]
Электрическое поле в базе транзистора с неравномерным распределением примесей появляется благодаря тем же процессам, что в / 7-л-переходе. При этом у коллектора создается нескомпенсированный заряд положительно заряженных акцепторов. Появляется электрическое поле, направленное от коллектора к эмиттеру, которое препятствует диффузии дырок. При каком-то определенном значении поля в базе устанавливается равновесие, так как число дырок, диффундирующих к коллектору, становится равным числу дырок, дрейфующих под действием поля к эмиттеру. [54]
Страницы: 1 2 3 4