Cтраница 2
Зонная диаграмма полупроводника при наличии поверхностного заряда.| Изменение поверхностного потенциала в случае обеднения и инверсии на поверхности. [16] |
При образовании обедненных слоев компенсация поверхностного заряда осуществляется за счет нескомпенсированных зарядов доноров и акцепторов и область пространственного заряда становится достаточно протяженной. [17]
Условие отсутствия электростатического поля внутри проводника приводит к тому, что нескомпенсированные заряды могут располагаться только на его поверхности. В этом легко убедиться с помощью теоремы Гаусса. Рассмотрим произвольную замкнутую поверхность, ограничивающую некоторый объем внутри проводника. Во всех точках этой поверхности напряженность электрического поля равна нулю. Следовательно, равен нулю и поток напряженности поля через эту поверхность. Тогда по теореме Гаусса равен нулю и полный заряд в объеме, ограниченном рассматриваемой поверхностью. Так как поверхность произвольна, то результат применим к любому участку внутри проводника вплоть до его границы. Итак, нескомпенсированные заряды могут располагаться только на поверхности проводника. [18]
Условие отсутствия электростатического поля внутри проводника приводит к тому, что нескомпенсированные заряды могут располагаться только на его поверхности. В этом легко убедиться с помощью теоремы Гаусса. Рассмотрим произвольную замкнутую поверхность, ограничивающую некоторый объем внутри проводника. Во всех точках этой поверхности напряженность макроскопического электрического поля равна нулю. Следовательно, равен нулю и поток напряженности поля через эту поверхность. Тогда по теореме Гаусса равен нулю и полный заряд в объеме, ограниченном рассматриваемой поверхностью. Так как поверхность произвольна, то результат применим к любому участку внутри проводника вплоть до его границы. Итак, нескомпенсированные заряды могут располагаться только на поверхности проводника. [19]
В результате поляризации диэлектрика возникают в тонких слоях у ограничивающих его поверхностей нескомпенсированные заряды, называемые поверхностными поляризационными зарядами. [20]
Наличие несимметрии в распределении приграничных областей р и п объясняется тем, что нескомпенсированный заряд в обеих частях перехода должен быть по величине одним и тем же. Большую толщину слоя имеет переход в области с меньшей концентрацией примеси. Слой 60 составляет доли микрона ( 0 1 - 0 5 мкм), и с подключением внешнего напряжения сильно изменяется его омическое сопротивление. В связи с этим обстоятельством слой 8о иногда называют запирающим. [22]
При переходе к режиму насыщения эмиттерный переход открывается, толщина перехода и его нескомпенсированный заряд уменьшаются, происходит как бы разряд емкости эмиттерного перехода. [23]
Реактивные струи авиационных двигателей электрически заряжены [2-4], причем в большинстве случаев их нескомпенсированный заряд - положительный. Заряженными частицами могут быть ионы, возникающие в камере сгорания вследствие хемоионизационных реакций [5], частицы сажи, а также заряженные частицы, появляющиеся при возникновении и развитии дефекта в конструкции двигателя. Имеются два режима движения частиц. Первый характеризуется непрерывным распределением заряженных частиц, когда они без видимых разрывов заполняют объем струи. При этом достаточно мелкие частицы вовлекаются в турбулентное движение несущего газа. Второй режим характеризуется движением заряженных частиц сгустками. Такой дискретный режим может возникать при нарушении нормальной работы камеры сгорания ( например, при колебаниях коэффициента избытка воздуха, когда в проточную часть двигателя периодически попадает избыточное количество сажи), при наличии механических повреждений двигателя, при изменении условий течения в проточной части ( возникновение пульсирующих отрывных зон), а также может отражать периодические процессы в двигателе. [24]
Методом ЭПР - спектроскопии установлено, что модифицирующее влияние углеродсодержащих продуктов обусловлено наличием нескомпенсированных зарядов в периферии наночастицы. Под действием ориентирующего силового поля наночастицы УДА и УДАГ формируется упорядоченный граничный слой в полимерной матрице. Размеры граничного слоя определяются, главным образом, активностью наночастиц и их содержанием в композите. [25]
Включение тиристора в электрическую цепь. а - тиристор в отключенном состоянии. б - тиристор включен в цепь. [26] |
Потенциал п-базы не зафиксирован, поэтому он понижается при включении тиристора и наличии нескомпенсированного заряда электронов, поступающих в л-базу, вследствие этого уменьшается потенциальный барьер третьего перехода. [27]
Таким образом, небольшие размеры, чешуйчатая форма и развитая поверхность частиц с нескомпенсированными зарядами предопределяют именно те особые свойства бентонитовых глин, которые обусловили их применение в бурении. Считается целесообразным использовать бентониты с высокой емкостью обмена с преимущественным содержанием натрия. Такие бентониты образуют суспензии с приемлемыми структурно-реологическими характеристиками при относительно низких концентрациях твердой фазы. [28]
В невключенной области потоки разделяются коллекторным переходом, вследствие чего в базовых слоях появляются нескомпенсированные заряды основных носителей. Эти заряды, аналогично базовым токам управления, вызывают инжек-цию неосновных носителей эмиттерными переходами, в базовых областях накапливаются избыточные носители заряда, и происходит включение ранее невключенной области. [29]
У атома лития, от которого электроны оттягиваются в сторону фтора, возникает некоторый положительный нескомпенсированный заряд. [30]