Проекция - электронная плотность
Cтраница 1
Проекции электронной плотности на плоскость и плоские сечения электронной плотности могут обладать различной симметрией, зависящей от целого ряда факторов. Однако в любом случае как проекция, так и сечение являются бесконечной двухмерной периодической совокупностью то ек и, следовательно, принадлежат к одной из возможных на плоскости групп симметрии. [1]
При анализе проекции электронной плотности координаты двух атомов, образующих общий максимум, определяются, как правило, на глазок. Ошибка состоит либо в чрезмерном сближении атомов, либо в чрезмерном их удалении. В первом случае картина, возникающая на нулевом синтезе, будет соответствовать наложению двух ветвей рис. 165 а, обращенных минимумами навстречу друг другу. В результате получится распределение, профиль которого показан на рис. 1656 сверху. Во втором случае ветви будут обращены друг к другу максимумами и профиль функции будет таков, как это изображено на рис. 1656 внизу. Таким образом, характер распределения функции R ( ху) в районе местонахождения атомов дает нам указание о необходимом направлении смещений атомов. [2]
Структура определена по проекции электронной плотности. [3]
На рис. 1116 представлена проекция электронной плотности фтало-цианина, полученная в машине Пепинского. Дополнительные напряжения, наложенные на сетку катодной трубки, позволяют получить, кроме изо-гипс, координатную сетку, облегчающую чтение координат максимумов. [4]
Прежде чем предпринимать расчет проекции электронной плотности с помощью рядов Фурье, рекомендуется проанализировать ожидаемый результат с точки зрения размеров ячейки и симметрии проекции. Если уменьшение ячейки имеет место, лучше асего сразу же перейти к новой координатной системе, основанной на осевых векторах а, в ячейки проекции, с тем чтобы производить суммирование ряда лишь для точек одной такой ячейки, а не нескольких. [5]
 |
Координаты базисных атомов в структуре 5-аланина. [6] |
Уточнение структуры проведено по проекциям электронной плотности и трехмерными расчетами по методу наименьших квадратов. [7]
По координатам атома кадмия рассчитаны проекции электронной плотности S ( i / z) и S ( xz) и определено положение атомов серы. [8]
 |
Влияние обрыва ряда на распределение электронной плотности в атоме. [9] |
Иначе обстоит дело при анализе проекций электронной плотности. Первый гребень волны обрыва здесь тоже поглощается основным максимумом. Второй ложный максимум, находящийся на расстоянии 1 2 А, имеет высоту, в 24 раза меньшую высоты главного пика. [10]
Расстояние Ni - N на полной проекции электронной плотности равно 1 37 А. Это значение является не вполне точным вследствие влияния мощного максимума Ni на положение максимума N и вследствие действия волн обрыва. Разностный ряд увеличивает проекцию вектора Ni - N до 1 41 А; смещение на 0 04 А связано с устранением указанных источников погрешности. [11]
Уточнение модели структуры проведено по обычным и разностным проекциям электронной плотности и двумерными расчетами по методу наименьших квадратов с учетом анизотропных тепловых колебаний атомов. Предельные значения факторов расходимости R равны 10 5 % для рефлексов hkO, 10 9 % - для рефлексов hOl и 10 7 % - для рефлексов ОМ. [12]
На рис. 122, в изображена проекция электронной плотности, полученная после уточнения структуры. Как видно из сопоставления минимализованной проекции с проекцией электронной плотности, причиной отсутствия максимумов Clj и С1ц на первой из них является не столько относительная слабость этих максимумов, сколько их слияние с максимумами, отвечающими атомам цезия. [13]
На рис. 143 г для сопоставления изображена проекция электронной плотности на ту же плоскость XY, полученная после уточнения структуры. Видно, что все максимумы минимализован-ной проекции имеют определенный физический смысл. [14]
На рис. 109 б изображена полученная таким методом проекция электронной плотности структуры гексаметилбензола ( ср. [15]
Страницы: 1 2 3 4