Производство - полупроводниковый материал
Cтраница 2
При исследовании электрических свойств полупроводников и производстве полупроводниковых материалов, стэуктур и приборов возникает необходимость измерения удельногэ электрического сопротивления или удельной электрической проводимости полупроводниковых материалов в виде монокр металлических слитков, образцов различной геометрической формы, пластин, диффузионных, эпитаксиальных и ионно-легированных слоев, составляющих часть полупроводниковых структур. Измерение удельного сопротивления осуществляется не только для установления его значения, но также для определения других важных параметров полупроводникового материала на основе теоретических расчетов или дополнительных экспериментальных данных. [16]
Ультрачистый мышьяк имеет исключительно важное значение в производстве полупроводниковых материалов. [17]
 |
Марки ртути. [18] |
Ртуть используется в качестве легирующего элемента ври производстве полупроводниковых материалов, для нспольэования в вакуум-электротехнике, в производстве контрольно-измернтель ных приборов, реактивов, фармацевтических препаратов, а также в химической и металлургической промышленности. [19]
В связи с развитием эпитаксиальной технологии в производстве полупроводниковых материалов и приборов требования к чистоте объемных монокристаллов уменьшились, поскольку их используют в основном для изготовления подложек, на которых методами газофазной ( германий, кремний и полупроводниковые соединения) или жидкофазной ( полупроводниковые соединения) эпитаксии изготовляют рабочий слой будущего полупроводникового прибора или интегральной схемы. Эпитаксиальная технология позволя-ет получать слой полупроводников очень высокой степени чистоты. [20]
 |
Применение безэлектродной ( индукционной высокочастотной плазменной горелки для зонного нагревания и очистки кремния. [21] |
Одним из новейших применений высокочастотного плазменного нагрева является нагрев в производстве полупроводниковых материалов. [22]
Материал МПГ-6 сразу же стал широко использоваться как контейнерный в технике производства полупроводниковых материалов, элементов интегральных схем. В будущем он заменил также и родственный ему графитированный материал ЭЭГ в технологии электроимпульсной обработки твердых сплавов и металлов. А затем на его основе был создан материал МПГ-8 ( 1), получивший применение в ракетной технике, но уже несколько позднее. [23]
В цветной металлургии намечается дальнейшее развитие алюминиевой, вольфрамо-молибденовой, титано-магниевой промышленности, производства полупроводниковых материалов и изделий из них, сложных сплавов и проката. Повышается степень комплексного использования рудного сырья. Предусматривается освоение новых высокоэффективных месторождений цветных металлов в Центральном Казахстане, Читинской и Иркутской областях и в других районах Средней Азии и Сибири, а также завершение проектных работ по Удоканскому месторождению меди в зоне Байкало-Амурской магистрали. [24]
Наиболее важной областью применения Ga, In, Ti в настоящее время является производство полупроводниковых материалов, а также оптических стекол и зеркал. [25]
Книга предназначена для работников заводских лабораторий и научно-исследовательских институтов химической, нефтехимической промышленности и производства полупроводниковых материалов, а также для исследователей, занимающихся изучением различных сорбционных процессов с участием нестабильных и реакционноспособных веществ. [26]
Книга предназначена для работников заводских лабораторий и научно-исследовательских институтов химической и нефтехимической промышленности и производства полупроводниковых материалов, а также для исследователей, занимающихся изучением различных сорбционных процессов с участием нестабильных и реакционноспособных веществ. [27]
ГОСТ 4658 - 73 распространяется на ртуть, предназначенную в качестве легирующего элемента при производстве полупроводниковых материалов, для использования в вакуум-электротехнике, в производстве контрольно-измерительных приборов, реактивов, фармацевтических препаратов, а также в химической и металлургической промышленности. [28]
 |
Схема регулирования генератора для бестигельной зонной плавки кремния. [29] |
Однако рассмотренные схемы регулирования высокочастотного генератора не могут решить всех задач, возникающих при управлении процессами производства полупроводниковых материалов. Например, при бестигельной зонной плавке кремния необходимо управлять диаметром выращиваемого кристалла. В связи с этим приходится создавать новые контуры регулирования с перекрестными связями и разрабатывать новые типы датчиков, способных учитывать изменение нагрузки. [30]
Страницы: 1 2 3 4