Производство - полупроводниковый материал - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 3
Если вы спокойны, а вокруг вас в панике с криками бегают люди - возможно, вы что-то не поняли... Законы Мерфи (еще...)

Производство - полупроводниковый материал

Cтраница 3


В Предназначается для металлургов, физиков и химиков научно-исследовательских институтов и промышленности, занимающихся исследованием и производством полупроводниковых материалов.  [31]

Еще более чистая вода ( содержание солей не более 0 2 мг / л) требуется в производстве полупроводниковых материалов, люминофоров и ряда других химических продуктов.  [32]

Однако следует отметить, что лабораторные работы этого раздела не охватывают всех вопросов, связанных с технологическими процессами производства полупроводниковых материалов.  [33]

Наиболее широко используется ртуть, поставляемая по ГОСТ 4658 - 73, который распространяется на ртуть, предназначенную для производства полупроводниковых материалов, для использования в вакуум-электротехнике, при производстве контрольно-измерительных приборов, реактивов, фармацевтических препаратов, а также в химической и металлургической промышленности.  [34]

Резко расширилась номенклатура высокочистых веществ; появился новый класс соединений, характеризующийся высокой степенью чистоты, так называемые особо чистые вещества, служащие основой производства полупроводниковых материалов и других специфических отраслей техники; на базе чистых веществ, вырабатываемых промышленностью химических реактивов, внутри этой промышленности выросли совершенно новые производства: люминофоров ( светосоставов), ферритовых материалов, сцинтил-ляционных материалов и монокристаллов.  [35]

Эти свойства наряду с возможностью создания готовых изделий сложной формы и с присущей углероду химической инертностью открывают широкие возможности для применения етеклоугларода в качестве посуды для производства полупроводниковых материалов, оптических монокристаллов, металлов и сплавов, а также деталей аппаратуры для особо агрессивных сред. Наличие закрытой пористости затрудняет диффузию примесных атомов в обрабатываемый материал из стеклоуглеродной посуды. Сочетание химической стойкости со стабильной удельной поверхностью и относительно низким удельным электрическим сопротивлением вызывает интерес к использованию стеклоуглерода в электрохимии, в том числе взамен платиновых электродов. Положительные результаты были получены, в частности, при применении стеклоуглерода в качестве электродов в хлоридных и криолито-глпноземных расплавах, в смеси хлоридов и фторидов щелочных металлов в среде аргона, водорода, хлора, хлористого водорода, смеси Н2 НС1 при температурах до 1000 С.  [36]

Разумеется, сказанное справедливо в общем случае и не относится к таким процессам, которые связаны с получением небольших количеств дорогостоящих продуктов особой степени чистоты, например, к производству полупроводниковых материалов или лекарственных препаратов.  [37]

Основные направления экономического и социального развития СССР на 1981 - 1985 годы и на период до 1990 года, принятые XXVI съездом КПСС, предусматривают опережающее развитие отраслей промышленности, определяющих научно-технический прогресс в том числе производства полупроводниковых материалов.  [38]

Под активными термоэлектрическими преобразователями мы будем понимать такие элементы, которые преобразуют тепло в электрическую энергию или наоборот. Исследование и производство полупроводниковых материалов для этих целей развивается достаточно быстро.  [39]

Контроль технологии производства полупроводниковых материалов осуществляется современными методами анализа: радиоактивационным, масс-спектральным, химико-спектральным, химическим и др. При этом требуется определять доли микрограммовых количеств нескольких десятков примесей в сырье, полупродуктах и готовой продукции.  [40]

Особенно полезным является использование эффекта Гаусса в приборах типа умножителей, усилителей тока генераторов электрических колебаний, измерителей магнитного поля и неэлектрических величин. Развитие техники производства полупроводниковых материалов с высокой подвижностью носителей тока и заданной структурой ( как, например, эвтектические сплавы ан-тимонида индия и антимонида никеля) способствует созданию магниторезисторов с большим относительным изменением сопротивления в магнитном поле. При этом значительно может быть упрощена технология производства магниторезисторов. Малые размеры резисторов, простая форма и легкость изготовления позволяют использовать их При миниатюризации аппаратуры.  [41]

Контроль технологии производства полупроводниковых материалов осуществляется современными методами анализа: радиоактивационным, масс-спектральным, химико-спектральным, химическим и др. При этом требуется определять доли микрограммовых количеств нескольких десятков примесей в сырье, полупродуктах и готовой продукции.  [42]

Универсальные высокочастотные индукционные генераторы ВЧИ имеют мощность от 10 до 63 кВт при 0 44 МГц и 100, 160 кВт при 0 056 МГц. Выпускаются установки малой мощности для производства полупроводниковых материалов и других целей. Более мощные генераторы используются для сварки и получения высокочастотной плазмы.  [43]

В связи с проблемой развития технологии производства полупроводниковых материалов возникает целый ряд задач, разрешение которых связано с исследованиями физико-химических свойств полупроводников в жидком состоянии. Технологический процесс получения полупроводниковых материалов включает выделение вещества или синтез ( если речь идет о соединении), очистку от сопутствующих примесей, в ряде случаев получение в виде монокристаллов и легирование. Отдельные стадии этого процесса связаны с расплавлением вещества и кристаллизацией его в определенных условиях. Прохождение указанных стадий через жидкую фазу требует ее всестороннего изучения.  [44]

Высоковольтным электродиализом удается очищать окись кремния, окись титада и другие ценные вещества. Последний метод имеет большие перспективы в производстве полупроводниковых материалов.  [45]



Страницы:      1    2    3    4