Производство - интегральная микросхема - Большая Энциклопедия Нефти и Газа, статья, страница 1
Вам помочь или не мешать? Законы Мерфи (еще...)

Производство - интегральная микросхема

Cтраница 1


Производство интегральных микросхем наиболее эффективно при изготовлении большими партиями и объемами выпуска.  [1]

2 Интегральные схемы СВЧ. а гибридные. б полупроводниковая. [2]

Производство СВЧ интегральных микросхем: и их применение неразрывно между собой связаны. Налаживание серийного выпуска СВЧ микросхем с большим набором различных функциональных характеристик зависит от их широкого внедрения в комплексах радиоаппаратуры.  [3]

В производстве интегральных микросхем и полупроводниковых приборов, получаемых приемами планарной технологии, особое место занимают процессы фотолитографии, включающие такие операции, как химическая обработка пластин, нанесение и сушка фоторезиста, совмещение рисунка фотошаблона и экспонирование, проявление фоторезиста, травление окислов и металлов, удаление фоторезиста и контроль.  [4]

В производстве интегральных микросхем для бытовой радиоаппаратуры используют первые два вида электронной технологии: полупроводниковые и гибридные микросхемы.  [5]

Конструктивно-технологические процессы производства интегральных микросхем разделяют на толстопленочные, тонкопленочные и полупроводниковые. В соответствии с этим микросхемы подразделяются на пленочные интегральные микросхемы и полупроводниковые.  [6]

7 Способы получения тонких пленок и области их применения. [7]

Рассмотрим технологию производства интегральных микросхем и аппаратуру, изготовляемую на их базе.  [8]

Прогресс в области технологии производства интегральных микросхем неуклонно продолжается - на очереди переход микроэлектроники в наноэлектронику, в которой размер отдельного элемента интегральной схемы исчисляется уже не микрометрами, а нанометрами. При этом функциональные возможности микропроцессоров и построенных на них микро - ЭВМ возрастут не в тысячу раз, а гораздо больше, поскольку закон возрастания этих возможностей нелинеен по отношению к увеличению плотности монтажа электронных компонентов в кристалле полупроводника.  [9]

По мере перехода к производству интегральных микросхем с большой степенью интеграции ( БИС) каждая интегральная микросхема может заменять один или более схемных модулей, применявшихся в ранее созданных вычислительных машинах, и обладает потенциально более высокой безотказностью при условии, что качество производства достаточно высоко, а логические функции и электрические свойства конструкции корректны во всех ситуациях.  [10]

Ряд технологических процессов в производстве интегральных микросхем основан на непосредственном соприкосновении различных фаз и переходе при этом соответствующих компонентов из одной фазы в другую или перемещении компонентов в пределах одной фазы.  [11]

12 Химический состав свинца различных марок. [12]

ЛО мкм, которая применяется в производстве интегральных микросхем, и фольгу толщиной до 0 08 мкм. Такая фольга используется в болометрах.  [13]

14 Схема иодидного метода эпитаксиального наращивания монокристаллических пленок германия с заданным типом проводимости и график температурного перепада. [14]

Особое значение эпитаксиальное наращивание имеет в производстве интегральных микросхем, когда необходимо получать монокристаллические пленки из полупроводникового материала с заданным типом проводимости на зародышевом кристалле, оказывающем ориентирующее влияние на рост пленки.  [15]



Страницы:      1    2    3    4