Производство - интегральная микросхема
Cтраница 2
В книге рассматриваются физико-химические основы типовых процессов производства интегральных микросхем: термовакуумного испарения, катодного распыления, химических и электрохимических методов получения слоев, диффузии, эпитаксии, ионного внедрения и фотолитографии. Описываются технологии изготовления интегральных гибридных пленочных и интегральных полупроводниковых микросхем, а также применяемое оборудование. [16]
В 60 - х годах нашего столетия начинается производство интегральных микросхем. При этом удалось существенно уменьшить стоимость и повысить надежность устройств полупроводниковой электроники, значительно уменьшить их массу и габаритные размеры формированием всех пассивных и активных элементов интегральных микросхем в едином технологическом процессе, а также в результате конструктивной интеграции. [17]
Авторы выражают свою признательность коллективу кафедры Конструирование и производство интегральных микросхем Московского института электронной техники и д-ру техн. [18]
Самое интересное, что принцип, на котором основано производство интегральных микросхем, знаком людям очень давно. Это фотография - фотоувеличение и фотоуменьшение изображений известно более ста лет, а вот в электронике применяется относительно недавно. [19]
В учебнике рассмотрены общие теоретические и практические вопросы технологии производства интегральных микросхем, печатных плат, сборки, монтажа, контроля и испытания микроэлектронных устройств и применяемое при этом оборудование. [20]
Выбор метода электрической изоляции во многом определяет порядок технологических процессов в производстве интегральных микросхем. [21]
Достигнутые на сегодня результаты комплексной миниатюризации МЭА обусловлены прежде всего достижениями в проектировании и технологии производства интегральных микросхем. Внедрение в производство полупроводниковых ИМС идей и методов субмикронной технологии ( электронно -, рентгено - и ионно-лучевая литография, ионное легирование, сухие процессы травления, технология бездефектного кристалла, эпитаксия из ионных пучков), позволяющих воспроизводимо получать минимальные размеры областей полупроводниковых структур на уровне долей микрометра, даст возможность достигнуть степени интеграции 10В - 107 элементов на кристалл. Это означает, что в одном полупроводниковом кристалле можно разместить достаточно сложное микроэлектронное устройство ( рис. 2.1), функционально законченное, пригодное к автономной эксплуатации, например однокристальную ЭВМ. [22]
Проведена классификация процессов и оборудования химического осаждения из газовой фазы ( ХОГФ), используемых в технологии производства интегральных микросхем ( ИМС), и показаны тенденции их развития. Приведены основные характеристики элементов микроструктур ИМС, получаемых в процессах ХОГФ, а также технологические характеристики самих процессов и используемых реагентов. Рассмотрены параметры оборудования для реализации процессов ХОГФ и проведен анализ его возможностей, достоинств и недостатков при осаждении функциональных слоев микросхем. Приведены основные электрофизические характеристики осаждаемых пленок. [23]
Фоторезист - это многокомпонентная система, состоящая из полимерной основы и различных добавок, обеспечивающих в первую очередь повышение светочувствительности полимеров, а также такие важные качества, как кислотостойкость, вязкость, смачивание и др. В качестве полимерной основы большинства фото-резистивных материалов используют поливиниловый спирт, полиэфиры, полиамиды, фенол формальдегидные и эпоксидные смолы, поливинилацетат, каучуки и др. В настоящее время разработано много светочувствительных композиций, однако далеко не все они могут быть использованы в качестве фоторезистов в производстве интегральных микросхем. [24]
В производстве интегральных микросхем этот метод позволяет получать монокристаллические полупроводниковые пленки с заданным типом проводимости путем эпитак-сиального наращивания. [25]
Как видно из табл. 8.1, микроэлектроника будет продолжать развиваться высокими темпами. Наряду с совершенствованием и расширением производства интегральных микросхем будут создаваться сложные твердотельные электронные приборы, выполняющие функции блоков, узлов и аппаратуры в целом. [26]
Правительство также должно поддерживать тс области, в которых сочетание делового риска и нехватки финансов приводят к медленному развитию технологий, имеющих существенную важность для промышленной конкуренции, национальной безопасности или одновременно важны для каждой из этих сфер. SEMATECH - программа, сфокусированная на производстве интегральных микросхем, затраты на которую поделили промышленность и правительство, стала примером их совместных усилий по восстановлению позиций США на стратегически важном рынке. [27]
Мы уже знаем, что любую цифровую систему можно собрать из отдельных логических элементов И, ИЛИ и инверторов. Мы увидим далее, что в производстве интегральных микросхем сделан и следующий шаг: выпускаются ИС, включающие в себя почти целые цифровые системы. [28]
 |
Маркерные знаки. ( в равенство зазоров ( б касания ( в равенство. [29] |
Относительный уровень плотности дефектов на поверхности фотомаски в пер-вую очередь зависит от степени очистки и подготовки поверхности подложки перед нанесением фоторезиста. Несмотря на то, что по сравнению с производством интегральных микросхем наличие таких незначительных дефектов, как и разрывы линий, не столь критично для ДОЭ, они могут существенно снижать общую эффективность оптического элемента. [30]
Страницы: 1 2 3 4