Производство - интегральная микросхема
Cтраница 3
Эпитаксия из газовой фазы характеризуется высокой степенью воспроизводимости и управляемости, а кроме того, технологической обработке подвергаются тысячи структур СИД одновременно. Необходимое для газовой эпитаксии оборудование однотипно с оборудованием для производства кремниевых интегральных микросхем. [31]
 |
Настольная установка гидромеха - [ IMAGE ] Настольная установка групповой нической обработки поверхности пластин химической обработки поверхности кремниевых пластин. [32] |
Одним из способов создания транзисторных структур, из которых формируются активные и пассивные компоненты, является эпи-таксиальное наращивание пленок. Эпитаксиальный метод наращивания пленок на поверхности полупроводниковых подложек широко используют при производстве интегральных микросхем. Эпитаксиальные слои позволяют существенно улучшить ряд параметров транзисторов и диодов. [33]
Последнее десятилетие ознаменовалось стремительным проникновением микроэлектроники практически во все сферы жизни и деятельности человека. В значительной степени это обусловлено параллельным развитием большого количества технологических направлений в производстве интегральных микросхем ( ИС), обеспечивших удовлетворение разнообразных запросов потребителей. [34]
В качестве полимерной основы большинства фоторезистивных материалов используются: поливиниловый спирт, полиэфиры, полиамиды, фенолформальдегидные и эпоксидные смолы, поливинил-ацетат, каучуки и др. В настоящее время разработано много светочувствительных композиций, обладающих достаточно, большим квантовым выходом. Однако далеко не все они могут быть использованы в качестве фоторезистов в производстве интегральных микросхем. Основные требования к фоторезистам следующие. [35]
Основной недостаток - относительно небольшие сопротивление входной цепи биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ ( 1 - 10 кОм), и плотность размещения при производстве интегральных микросхем. [36]
Наряду сг продолжающимся выпуском широко распространенных полупроводниковых приборов ( диодов, биполярных транзисторов, тиристоров) в последние годы создан ряд новых приборов, таких, как полупроводниковый лазер, полевой транзистор, однопереходный транзистор и све-тодиод. На базе светодиодов созданы полупроводниковые цифровые индикаторы, а также оптоэлектронные приборы. В настоящее время освоено производство интегральных микросхем. При очень малых размерах микросхема может содержать большое число ( более 100) элементов: транзисторов, диодов, резисторов, конденсаторов. [37]
Необходимая информация для справочника использована из частных и общих технических условий, проспектов, каталогов и рекламных сообщений. Включен ряд изделий микроэлектроники, освоенных или осваиваемых в последние годы. Для морально устаревших и снятых с производства интегральных микросхем даются ограниченные технические данные, необходимые лишь для возможной замены их на типономиналы новых поколений интегральных схем. В приложении указаны зарубежные аналоги микросхем, помещенных в справочник. [38]
Необходимая информация для справочника использована из частных и общих технических условий, проспектов, каталогов и рекламных сообщений. Включен ряд изделий микроэлектроники, освоенных или осваиваемых в последние годы. Для морально устаревших и снятых с производства интегральных микросхем даются ограниченные технические данные, необходимые лишь для возможной замены их на типономиналы новых поколений интегральных схем. В приложениях указаны зарубежные аналоги микросхем, помещенных в справочник, а также перечень серий, включенных с первого по девятый тома. [39]
Необходимая информация для справочника использована из частных и общих технических условий, проспектов, каталогов, журнальных статей и рекламных сообщений. Включен ряд изделий микроэлектроники, освоенных или осваиваемых в последние годы. Для морально устаревших и снятых с производства интегральных микросхем даются офаниченные технические данные, необходимые лишь для возможной замены их на типономи-налы новых поколений интегральных схем. В приложениях указаны зарубежные аналоги микросхем, помещенных в справочник, а также перечень серий, включенных в предыдущие тома. [40]
Необходимая информация для справочника использована из частных и общих технических условий, проспектов, каталогов и рекламных сообщений. Включен ряд изделий микроэлектроники, освоенных или осваиваемых в последние годы. Для морально устаревших и снятых с производства интегральных микросхем даются ограниченные технические данные, необходимые лишь для возможной замены их на типономиналы новых поколений интегральных схем. В приложении указаны зарубежные аналоги микросхем, помещенных в справочник. [41]
Необходимая информация для справочника использована из частных и общих технических условий, проспектов, каталогов и рекламных сообщений. Включен ряд изделий микроэлектроники, освоенных или осваиваемых в последние годы. Для морально устаревших и снятых с производства интегральных микросхем даются ограниченные технические данные, необходимые лишь для возможной замены их на типономиналы новых поколений интегральных схем. В приложениях указаны зарубежные аналоги микросхем, помещенных в справочник, а также перечень серий, включенных с первого по девятый тома. [42]
Наличие внешних теплоотводов позволяет работать биполярным транзисторам при мощности рассеяния до 50 Вт и токах до 10 А. Основной недостаток - относительно небольшие сопротивление входной цепи биполярного транзистора, включенного по схеме с ОЭ ( 1 - 10 кОм), и плотность размещения при производстве интегральных микросхем. [43]
Требовалось обратить эти нежелательные в лампах явления в полезную технологию. К моменту появления тонкопленочной технологии в науке экспериментально были изучены зависимости упругости паров от температуры для всех металлов и большинства окислов. Тонкопленочная технология производства интегральных микросхем включает в себя операции напыления в вакууме на гладкую поверхность диэлектрической подложки пленок различных материалов ( проводящих, диэлектрических, резистивных) и формирования конфигураций элементов тонкопленочных схем. При напылении проводников, обкладок конденсаторов, резисторов, диэлектриков конденсаторов через маски эти операции совмещены. [44]
При обработке и хранении композиций резистов НС окисляются. Образующиеся гидропероксиды каталитически разлагаются следами ионов металлов, возникающие при этом радикалы сшивают близлежащие молекулы смолы. В таких участках ММ емолы выше исходной, смола хуже растворяется в щелочном проявителе. В результате рельеф содержит непроявленные микрозоны, что приводит к браку в производстве интегральных микросхем, ухудшает качество записи аудио - и видеоинформации [ пат. [45]
Страницы: 1 2 3 4