Cтраница 2
Представление о центре инерции свободно от предположения о действии сил какого-либо физического происхождения. [16]
Потенциальную энергию v здесь надо подобрать так, чтобы отобразить эффект притяжения, физическое происхождение которого рассмотрено выше. [17]
![]() |
Зависимость коэффициента сжимаемости от приведенных температуры и давления. [18] |
При движении вязких газов появляются касательные напряжения, которые обусловлены вязкостью газа - Физическое происхождение вязкости газов иное, чем у капельных жидкостей. [19]
К силовым фильтрам относятся те, в которых на частицы загрязнений оказывают воздействие силы различного физического происхождения, например, электростатические силы, магнитные, инерционные, гравитационные, и не дают частицам поступать вместе с рабочей жидкостью к устройствам гидравлической системы. [20]
Мы видим, что при монотонном уменьшении L работа выхода пленки е проходит через максимум, физическое происхождение которого следующее: не слишком тонкая пленка ( L Lcd) отдает электроны из своего объема как своей наружной поверхности ( обусловливая тем самым ее отрицательный заряд), так и металлу, в то время как в случае достаточно тонкой пленки ( L Lcd) се наружная поверхность черпает электроны как из объема пленки, так и из металла. [21]
Дело в том, что в этом соотношении однозначно связаны величины, которые фактически имеют несколько различное физическое происхождение. [22]
Легко убедиться, что все результаты предыдущего параграфа непосредственно распространяются на случай сложения двух параллельных скользящих векторов любого физического происхождения. [23]
Подготовленные таким способом поверхности деформированных или полиэдрических кристаллов весьма чистого бромида серебра обнаруживали низкую поверхностную плотность центров вуали физического происхождения. [24]
Принимая во внимание принцип виртуальной работы, можно сформулировать уравнение (10.5) в следующих словах: силы инерции находятся в равновесии со сторонними силами физического происхождения; при этом нам не нужно знать реакций. [25]
Некоторое представление о силе алгебраических методов можно получить, вспомнив элементарную школьную алгебру, позволяющую так эффективно решать в общем виде самые разнообразные задачи арифметического, геометрического и физического происхождения при помощи формул сокращенного умножения, решения квадратных и других уравнений, суммирования прогрессий. [26]
Как мы видели на нашем примитивном примере покрытого скатертью стола, наличие кривизны отражается на траекториях в остальном свободной материальной точки: оно действует на нее как силы физического происхождения. Эйнштейн, придавая количественное выражение одной из идей Маха, усмотрел в этом причину тяготения. [27]
Отсюда возникает следующая возможность: выбирая в качестве gtj и gtj такие метрики, которые отвечали бы Г / - и Ttj конкретного вида, и так, чтобы при этом Я-матрица ( gLj - kgtj) имела один из возможных типов, можно отображать в смысле совпадения геодезических линий ( проективные преобразования полей) поля различного физического происхождения; на этом пути можно, например, построить электромагнитную модель гравитационного поля специальной природы. [28]
Заметим еще, что оценка тех значений параметров быстро затухающей функции В ( т), при которых уже можно пользоваться предельным результатом, полученным в предположении (2.91) ( или (2.92)), эквивалентна, в известном смысле, оценке ширины спектральной полосы, существенной для данной задачи; для трех перечисленных в начале этого примера случайных процессов физического происхождения ( пульсация силы, действующей на брауновскую частицу, пульсация электродвижущей силы при тепловом шуме в проводнике, пульсация силы тока при дробовом эффекте) допущение о том, что рассматриваемый процесс является белым шумом, вполне приемлемо в применении к большинству представляющих интерес задач. [29]
Между изменениями электропроводности и изменениями каталитической активности должен существовать, таким образом, определенный параллелизм. Физическое происхождение этого параллелизма ясно: электропроводность определяется концентрацией в полупроводнике свободных электронов и дырок, которые вместе с тем принимают участие, как мы видели, в ходе реакции ( на правах компонент реакции) и определяют тем самым ее скорость. [30]