Энергетический промежуток

Cтраница 2

Таким образом, расстояние между полосой и сателлитом может, в известной степени, характеризовать энергетический промежуток между валентными полосами металла и металлоида. [16]

Из неэмпирических расчетов следует, что между е и 2а / ( низшее подходящее возбуждение) существует большой энергетический промежуток. Молекула ВН3 должна быть очень устойчивой по отношению к диссоциации. Молекула BF3 имеет несколько несвязывающих МО, локализованных на атомах фтора ( гл. [17]

Требование, чтобы материал имел высокое удельное сопротивление для ограничения рассеяния мощности, означает, что существует некоторый предел минимальной ширины энергетического промежутка, пригодной для практического использования. Энергетические промежутки менее 1 эв в общем случае вряд ли являются приемлемыми. [18]

Авторы пришли к согласию с выводами Бекстрема и Сандроса, однако они не обнаружили, что эффективность тушения падает с увеличением энергетического промежутка между триплетом донора и ниже расположенным триплетом акцептора. Они пришли к выводу, что перенос энергии между молекулами происходит во время их встречи на обычных расстояниях столкновения. Орби-тали молекул при этом перекрываются, электроны становятся неразличимыми и, когда молекулы расходятся, акцептор может оказаться в возбужденном состоянии. [19]

Это различие в устойчивостях определяется свойствами симметрии используемых АО валентной оболочки. Большой энергетический промежуток для этого перехода служит предупреждением о том, что это путь, требующий значительной энергии. [20]

В этом случае рОА имеет симметрию Аи, способствующую [ вращению молекулы. Однако энергетический промежуток между уровнями bg и Ъи велик, и p0ft должна быть небольшой. Из экспериментальных данных следует, что вращение вокруг связи кислород - кислород протекает почти свободно, энергетический барьер составляет около 3 ккал / моль. Соответственно эффект Яна - Тел-лера второго порядка не в состоянии что-либо сделать применительно к вращению вокруг простой связи. [21]

Симметрия переходной плотности Bzu х В3и Blg, и молекула должна становиться плоской под действием конротаторного крутильного колебания. В согласии с расчетами, энергетический промежуток должен быть небольшим. [22]

Мы видим, что диимид должен быть триплетом в линейной форме низшей энергии. К тому же между орбиталями и 2cru энергетический промежуток невелик. Симметрия р0йестьПи, и N2H2 должен существовать в г цс-изогнутой конфигурации. После изгиба он больше не будет триплетом низшей энергии, поскольку устраняется вырождение ir - орбиталей. В действительности диимид существует как в цис -, так и в траке-форме, причем последняя более устойчива. [23]

Для некоторых кристаллов имеется существенная разница между величиной оптической диэлектрической проницаемости еор / и статической es, где Ropt находится как квадрат показателя преломления. Однако при отсутствии других данных грубое определение энергетического промежутка возможно, как указано выше, по внешнему виду кристалла или порошка. [24]

Такое объяснение требует, чтобы атом металла имел по крайней мере два электрона в d - оболочке, но не больше восьми, хотя, как уже указывалось, атомы й10 - металла, такого, как N1 ( 0), являются эффективными катализаторами. Исходя из рис. 16 заполнение ор-битали Ъг в 210-металле должно создавать значительно больший энергетический промежуток между возбужденным и основным состояниями, чем для й8 - металла. Трудно поверить, что эти две системы могут быть сопоставлены по эффективности. [25]

Этот процесс приводит к следствиям, полностью противоположным тому, что мы знаем для проводников электричества. В металлах, как это хорошо известно, электрическое сопротивление растет при нагревании, а тут мы видим, что в принципе можно представить себе материалы с такой зонной структурой ( малый энергетический промежуток между целиком заполненной и пустой или почти пустой зонами), что они, во-первых, при отличной от нуля температуре будут иметь ненулевую проводимость, а во-вторых, эта проводимость будет расти с увеличением температуры. Такие вещества как раз и называются полупроводниками. [26]

Нижняя зона при температуре Т 0 К полностью заполнена, а верхняя, напротив, полностью свободна. Энергетический промежуток между указанными зонами называют запрещенной зоной ( ее ширину обозначим через А з) - Заметим, что запрещенная зона - это не энергетическая зона, а всего лишь интервал значений энергии, не реализуемых обобществленными электронами. [27]

Энергетическая диаграмма чистого полупроводника. [28]

Охладив в отсутствие света идеально чистый и свободный от структурных дефектов полупроводник до температуры, близкой к абсолютному нулю, мы имели бы совершенный изолятор. Все электроны расположились бы на более низких энергетических уровнях. Запрещенная зона представляет собой энергетический промежуток между дном зоны проводимости и верхом валентной зоны. Иными словами, это энергия, которую надо приложить, чтобы возбудить электроны. [29]

Орбитали t2 представляют собой главным образом р - и d - AO металла, а орбиталь аг - главным образом s - орбиталь металла. Энергия активации диссоциации, как было установлено, для L Р ( ОС2Н 5) з меняется в ряду Ni PdPt. Это не коррелирует с экспериментальными величинами энергетического промежутка ни между s - и р-орбиталями валентной оболочки свободных атомов металла, ни между показанными в таблице d - и s - орбиталя-ми. [30]

Страницы: 1 2 3