Металлический затвор

Cтраница 2

Существуют также специальные низкопороговые кристаллы КМОП с металлическими затворами ( например, для схем наручных часов), которые предъявляют чрезвычайно низкие требования к напряжению питания. Имеется, например, прекрасный кристалл, содержащий генератор с делителем частоты, которому требуется источник питания напряжением от 1 0 до 2 1 В. [16]

Примером ПЗУ на я-канальных транзисторах МДП-типа с металлическим затвором может служить ПЗУ информационной емкостью 16 384 бит с организацией 4096 4-битовых слов, выполненная на кристалле размером 4 3x4 4 мм. [17]

Структурная схема ЗУПВ типа 2107А. [18]

В ЗЭ используется - канальный транзистор с самосовмещенным металлическим затвором; слой поликристаллического кремния образует заземляемую обкладку запоминающего конденсатора, другой обкладкой конденсатора служит диффузионная п - область истока транзистора; в качестве диэлектрика в запоминающем конденсаторе используется двойной слой нитрид кремния - двуокись кремния, позволяющий в 2 5 раза увеличить удельную емкость по сравнению с однослойным ( SiC) диэлектриком. Время выборки составляет 350 не, время цикла 500 не. [19]

В рассмотренных вариантах базовых ячеек показан так называемый металлический затвор. Тип затвора не изменяет принципа работы транзистора. Следует, однако, иметь в виду, что металлический затвор обладает значительно меньшим сопротивлением, что делает его предпочтительным в высокочастотных транзисторах. [20]

Применение методики эффекта поля позволило избежать экранирующего действия металлического затвора в МДП-структуре и наиболее ярко выявить влияние полей зарядов диэлектрика на захват на быстрые состояния. [21]

Описанный полевой транзистор можно трансформировать в ИСПТ, заменив металлический затвор ионоселективной мембраной. Un и потенциала электрода сравнения, но и от потенциала на границе раздела раствор / мембрана. С помощью мембран, потенциал которых зависит от концентрации ионов в растворе, ИСПТ приобретают химическую селективность. В ИСПТ применяют те же мембраны, которые разработаны для ИСЭ и описаны выше. В настоящее время ИСПТ для измерения рН коммерчески доступны. [22]

Разрез структуры полевого транзистора с барьером Шотткя. [23]

На рис. 5 приведен схематический разрез полевого транзистора с металлическим затвором. [24]

Быстродействующее МОП ЗУ с произвольной выборкой на приборах с металлическими затворами. [25]

Классическая структура МДП-транзистора представляет собой униполярный прибор, в котором металлический затвор изолирован от полупроводника тонким слоем диэлектрика. МДП-транзисторы могут быть классифицированы по способу создания проводящего канала. В большинстве приборов используется проводящий инверсный слой вблизи границы диэлектрик - полупроводник. [26]

Структура секции переноса ПЗС со ступенчатым диэлектриком ( и и пояснение принципа переноса информационного заряда при двухтактном питании затворов секции переноса ( б, в.| Структура секция. [27]

В зазорах между кремниевыми затворами на поверхности слоя двуокиси кремния расположены металлические затворы ( рис. 6.17), которые отделены от затворов из поликристаллического кремния слоем двуокиси кремния, нанесенным после создания затворов из поликристаллического кремния. [28]

Структуры молевых транзисторов с изолированным затвором ( с р-каннлом. [29]

Полевой транзистор с изолированным затвором, в котором в качестве изоляционного слоя между каждым металлическим затвором и проводящим каналом использован оксид полупроводника, называют полевым транзистором типа металл - оксид - полупроводник или МОП-транзистором. [30]

Страницы: 1 2 3 4